中国科学院西安光学精密机械研究所于志远获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院西安光学精密机械研究所申请的专利一种多波长阵列激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119965679B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510148272.4，技术领域涉及：H01S5/40；该发明授权一种多波长阵列激光器及其制备方法是由于志远;张文富;王斌浩设计研发完成，并于2025-02-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多波长阵列激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种多波长阵列激光器及其制备方法，该激光器包括在同一衬底上平行排列的至少两个激光单元，相邻的两个激光单元之间为电极隔离区；至少两个激光单元具有不同的波长；激光器包括一次外延、光栅区域层和二次外延；一次外延位于衬底上；光栅区域层位于一次外延层上，包括多个光栅单元，光栅单元由高阶相移光栅或高阶节距调节光栅制备而成；一个光栅单元对应一个激光单元，每个光栅单元具有不同的光栅周期，不同的光栅周期形成不同的波长；二次外延位于光栅区域层上。该激光器采用高阶光栅，提高了光栅制备的工艺容差，缩短了加工周期，易于实现波长的精确控制；并且，采用同一衬底，实现了多个激光单元的单片集成。
本发明授权一种多波长阵列激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多波长阵列激光器，其特征在于，所述激光器包括在同一衬底上平行排列的至少两个激光单元，相邻的两个所述激光单元之间为电极隔离区；所述至少两个激光单元具有不同的波长； 所述激光器包括一次外延、光栅区域层和二次外延； 所述一次外延位于所述衬底上，所述一次外延从下至上依次包括缓冲层、下限制层、量子阱有源层、上限制层，所述下限制层厚度大于所述上限制层厚度； 所述光栅区域层位于所述一次外延层上，包括多个光栅单元，所述光栅单元由高阶相移光栅或高阶节距调节光栅制备而成；一个所述光栅单元对应一个所述激光单元，每个所述光栅单元具有不同的光栅周期，所述不同的光栅周期形成不同的波长； 所述二次外延位于所述光栅区域层上，从下至上依次包括上波导层、欧姆接触层。
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