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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利SONOS存储器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947111B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510039615.3，技术领域涉及：H10B43/30；该发明授权SONOS存储器件的制备方法是由刘政红;陈昊瑜;黄冠群;齐瑞生;王佳兴设计研发完成，并于2025-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本SONOS存储器件的制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种SONOS存储器件的制备方法，在制备方法中，在对控制栅区域的离子注入工艺之后的半导体结构执行湿法清洗工艺的前后，获取浅沟槽隔离结构的厚度前值、后值以及厚度差值，随后在形成ONO膜层之前，根据STI的厚度差值，执行预清洗工艺，以去除第二厚度的STI，以使STI的最终厚度等于其深度预设值。在预清洗工艺中，基于湿法清洗工艺中STI的刻蚀量，动态调整预清洗工艺中STI的刻蚀量，若刻蚀的第一厚度过少，则预清洗工艺增加刻蚀；若刻蚀的第一厚度刻蚀过多，则预清洗工艺减少刻蚀，保证STI最终深度等于深度预设值，避免了STI过高或过矮的问题，解决了晶圆面内发生线条状图形缺陷导致器件失效的问题。

本发明授权SONOS存储器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种SONOS存储器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底包含控制栅区域和与所述控制栅区域相邻的选择栅区域，所述衬底中形成有用于隔离所述控制栅区域和所述选择栅区域的浅沟槽隔离结构，所述衬底表面形成有牺牲氧化层； 在所述牺牲氧化层上涂覆光刻胶层； 通过光刻工艺打开所述控制栅区域的光刻胶层，露出所述控制栅区域的牺牲氧化层，以形成图案化的光刻胶层； 以图案化的所述光刻胶层为掩膜，对所述控制栅区域的衬底进行离子注入工艺，用于调节控制栅的阈值电压； 获取所述控制栅区域侧的浅沟槽隔离结构的厚度前值； 对所述控制栅区域的离子注入工艺之后的半导体结构执行湿法清洗工艺，以去除所述控制栅区域的有源区表面的牺牲氧化层以及所述控制栅区域侧的第一厚度的所述浅沟槽隔离结构； 获取所述控制栅区域侧的浅沟槽隔离结构的厚度后值； 根据所述浅沟槽隔离结构的厚度前值和所述浅沟槽隔离结构的厚度后值，获取所述浅沟槽隔离结构的实际厚度差值； 根据所述浅沟槽隔离结构的实际厚度差值，对执行湿法清洗工艺之后的半导体结构执行预清洗工艺，去除所述选择栅区域的有源区表面的牺牲氧化层和所述控制栅区域侧的第二厚度的所述浅沟槽隔离结构，其中，在去除第二厚度的所述浅沟槽隔离结构之后，所述浅沟槽隔离结构的剩余厚度等于所述浅沟槽隔离结构的深度预设值； 形成ONO膜层，所述ONO膜层覆盖所述控制栅区域的衬底、所述选择栅区域的衬底以及剩余厚度的所述浅沟槽隔离结构。

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