长鑫科技集团股份有限公司薛兴坤获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法、存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119893984B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311395385.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其形成方法、存储器是由薛兴坤;肖德元;邱云松;谢东升设计研发完成，并于2023-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法、存储器在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器，形成方法包括：形成初始半导体结构，初始半导体结构包括衬底及字线结构，衬底包括多个间隔分布的半导体柱以及分别位于相邻两个半导体柱之间的多个绝缘部，字线结构沿多个半导体柱间隔分布的方向延伸，且包覆于各半导体柱的外周；绝缘部位于字线结构之上，且绝缘部远离字线结构的端部高于半导体柱的端部，相邻的两个绝缘部与其之间的半导体柱定义出位线沟槽；形成覆盖位线沟槽的侧壁的阻挡层；在具有阻挡层的位线沟槽内形成导电材料层；对导电材料层进行一次热处理，以形成位线结构；形成贯穿绝缘部并露出字线结构的接触孔；在接触孔的孔壁形成绝缘层；在具有绝缘层的接触孔内形成字线接触结构。
本发明授权半导体结构及其形成方法、存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 形成初始半导体结构，所述初始半导体结构包括衬底及字线结构，所述衬底包括多个间隔分布的半导体柱以及分别位于相邻两个所述半导体柱之间的多个绝缘部，所述字线结构沿多个所述半导体柱间隔分布的方向延伸，且包覆于各所述半导体柱的外周；所述绝缘部位于所述字线结构之上，且所述绝缘部远离所述字线结构的端部高于所述半导体柱的端部，相邻的两个所述绝缘部与其之间的所述半导体柱定义出位线沟槽； 形成覆盖所述位线沟槽的侧壁的阻挡层； 在具有所述阻挡层的所述位线沟槽内形成导电材料层； 对所述导电材料层进行一次热处理，以形成位线结构； 形成贯穿所述绝缘部并露出所述字线结构的接触孔； 在所述接触孔的孔壁形成绝缘层； 在具有所述绝缘层的所述接触孔内形成字线接触结构。
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