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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利存储器件及其制作方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119855132B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311348289.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储器件及其制作方法、电子设备是由刘晓萌;艾学正;王祥升;王桂磊;赵超设计研发完成，并于2023-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器件及其制作方法、电子设备在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种存储器件及其制作方法、电子设备。该存储器件的制作方法包括：提供一衬底，一侧凹槽的侧壁垂直于底壁；接着，依次交替形成第一绝缘层和牺牲层，牺牲层具有平行于底壁的第一牺牲部和平行于侧壁的第二牺牲部；接着，将位于存储区、连接区和阶梯区以外区域的所有牺牲层和所有第一绝缘层均去除；接着，形成第二绝缘层以填充凹槽的位于阶梯区朝向存储区一侧的部分；接着，去除剩余的所有牺牲层以形成多个空槽；接着，形成与多个空槽一一对应的多个导电层，使各导电层填充对应的空槽，各导电层均具有平行于底壁的阶梯部，多个阶梯部形成阶梯。本申请实施例可通过更简单的工艺来制作阶梯结构，工艺难度与制作成本低。

本发明授权存储器件及其制作方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种存储器件的制作方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底的一侧形成有凹槽，所述凹槽的侧壁垂直于所述凹槽的底壁； 在所述凹槽的内壁依次交替形成第一绝缘层和牺牲层，所述牺牲层具有平行于所述底壁的第一牺牲部和平行于所述侧壁的第二牺牲部，远离所述衬底的最后一个第一绝缘层填充满所述凹槽； 进行图形化处理，以将位于存储区、连接区和阶梯区以外区域的所有所述牺牲层和所有所述第一绝缘层均去除，所述存储区和所述连接区均位于所述最后一个第一绝缘层在所述底壁上的正投影内，所述阶梯区沿垂直于所述第二牺牲部的第一方向延伸，且与所有所述牺牲层和所有所述第一绝缘层在所述底壁上的正投影交叠； 形成第二绝缘层，使所述第二绝缘层填充所述凹槽的位于所述阶梯区朝向所述存储区一侧的部分； 去除剩余的所有所述牺牲层，以形成沿垂直于所述底壁方向依次间隔布置的多个空槽； 形成与多个所述空槽一一对应的多个导电层，使各所述导电层填充对应的所述空槽，各所述导电层均具有平行于所述底壁的阶梯部和平行于所述侧壁的接触部，多个所述阶梯部形成阶梯。

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