拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司孙鸿智获国家专利权
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龙图腾网获悉拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司申请的专利一种用于沉积工艺上喷嘴结构、沉积设备和清洁方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118756114B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311791600.X，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权一种用于沉积工艺上喷嘴结构、沉积设备和清洁方法是由孙鸿智;杨晓楠设计研发完成，并于2023-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于沉积工艺上喷嘴结构、沉积设备和清洁方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于沉积工艺的上喷嘴结构、沉积设备和清洁方法。上喷嘴结构包括：上喷嘴本体，设置于反应腔的上盖板中，上喷嘴本体的第一端与上盖板之间存在间隙，用以向下通入清洁气体；以及导气组件，设置于上喷嘴本体的内部，包括第一主通道和至少一组支路通道，第一主通道的第一端连接上盖板的外部，以获取保护气体，第一主通道的第二端连接第一组支路通道的输入端，第一组支路通道的输出端位于上喷嘴本体的上表面，用以在清洁气体通入之前，先通入保护气体，使得保护气体覆盖上喷嘴本体的上表面，用以隔绝上表面和清洁气体。本发明能够隔绝清洁气体与上喷嘴的上表面接触，从而能够避免上喷嘴被清洁气体中的氟离子腐蚀损伤。
本发明授权一种用于沉积工艺上喷嘴结构、沉积设备和清洁方法在权利要求书中公布了：1.一种用于沉积工艺的上喷嘴结构，其特征在于，包括： 上喷嘴本体，设置于反应腔的上盖板中，其中，所述上喷嘴本体的第一端与所述上盖板之间存在间隙，用以向下通入清洁气体；以及导气组件，设置于所述上喷嘴本体的内部，包括第一主通道和至少一组支路通道，所述第一主通道的第一端连接所述上盖板的外部，以获取保护气体，所述第一主通道的第二端连接第一组支路通道的输入端，所述第一组支路通道的输出端位于所述上喷嘴本体的上表面，用以在所述清洁气体通入之前，先通入所述保护气体，使得所述保护气体覆盖所述上喷嘴本体的上表面，用以隔绝所述上表面和所述清洁气体。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司，其通讯地址为：110171 辽宁省沈阳市浑南区水家900号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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