深圳先进技术研究院杨春雷获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳先进技术研究院申请的专利缓冲层、铜铟镓硒薄膜太阳能电池及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118186352B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410264791.2，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权缓冲层、铜铟镓硒薄膜太阳能电池及制备方法是由杨春雷;梁博文;李伟民;马诗佳设计研发完成，并于2024-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本缓冲层、铜铟镓硒薄膜太阳能电池及制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供的缓冲层、铜铟镓硒薄膜太阳能电池及制备方法，在CIGS吸收层上以射频磁控溅射法沉积Zn1‑xAlxO,S缓冲层；其中：在所述射频磁控溅射法中工作气体为氩气和H2S，所述氩气与H2S流量的调控比例在15:1‑30:1区间，通过控制氩气和H2S的流量来调整SS+O，使得Zn1‑xAlxO,S缓冲层与吸收层可以有更好的匹配，缓冲层的可见光区透射率可达90％以上，制备得到的铜铟镓硒薄膜太阳能电池的光学带隙宽度在2.6～3.8eV之间。
本发明授权缓冲层、铜铟镓硒薄膜太阳能电池及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种缓冲层的制备方法，其特征在于，包括下述步骤： 在CIGS吸收层上以射频磁控溅射法沉积Zn1‑xAlxO,S缓冲层；其中： 在所述射频磁控溅射法中工作气体为氩气和H2S，所述氩气与H2S流量的调控比例在15: 1‑30:1区间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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