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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种易于剥离的钙钛矿型钡钽氮氧化物薄膜制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118147587B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410286230.2，技术领域涉及：C23C14/30；该发明授权一种易于剥离的钙钛矿型钡钽氮氧化物薄膜制备方法是由李严波;王家盛设计研发完成，并于2024-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种易于剥离的钙钛矿型钡钽氮氧化物薄膜制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于光电化学水分解光电极薄膜材料的制备剥离技术领域，具体涉及一种易于剥离的钙钛矿型钡钽氮氧化物薄膜制备方法，依次采用了双源电子束沉积法、高温氮化法、以及机械剥离法制备得到BaTaO2N纳米颗粒薄膜。制备过程中，通过调控双源电子束沉积过程中NbOx沉积的薄膜厚度以及最佳BaTa原子比和沉积的薄膜厚度，实现从石英基底上的完整剥离，工艺重复性较高，无需采用氧化物前驱体粉末制备且最终制得的BaTaO2N薄膜具备了更多应用的可能性。

本发明授权一种易于剥离的钙钛矿型钡钽氮氧化物薄膜制备方法在权利要求书中公布了：1.一种易于剥离的钙钛矿型钡钽氮氧化物薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1、清洗石英玻璃基底； 步骤2、将Nb源放入双源电子束沉积系统的坩埚中，并将步骤1中清洗干净的石英玻璃基底放入电子束沉积系统的样品台中，待系统抽真空至真空度高于8×10‑6Torr； 步骤3、利用一个石英晶体微天平检测Nb2O5的沉积速率和沉积厚度，利用双源电子束沉积系统在石英玻璃基底上制备氧化铌薄膜中间层；所述步骤3Nb2O5的沉积速率为沉积厚度为200nm步骤4、将Ba源和Ta源放入双源电子束沉积系统的坩埚中，并将步骤3中沉积有氧化铌薄膜中间层的石英玻璃基底放入电子束沉积系统的样品台中，待系统抽真空至真空度高于8×10‑6Torr； 步骤5、利用两个石英晶体微天平分别检测BaF2和Ta2O5的沉积速率和沉积厚度，固定Ta2O5的沉积速率为沉积厚度为300nm；设置BaF2的沉积速率为以使得钡钽化物前驱体薄膜中Ba:Ta原子比为2:1；利用双源电子束沉积系统在金属基底和石英玻璃基底上制备钡钽化物前驱体薄膜；BaF2与Ta2O5的沉积总厚度为1098nm； 步骤6、高温氮化法步骤5得到的钡钽化物前驱体薄膜，得到BaTaO2N纳米颗粒薄膜； 步骤7、采用机械剥离法剥离步骤6所得BaTaO2N纳米颗粒薄膜，得到最终的BaTaO2N纳米颗粒薄膜。

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