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龙图腾网获悉华映科技(集团)股份有限公司申请的专利一种低寄生电容效应的氧化物阵列基板及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118136630B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410114343.4，技术领域涉及：H10D86/40；该发明授权一种低寄生电容效应的氧化物阵列基板及其制备方法是由陈宇怀设计研发完成，并于2024-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低寄生电容效应的氧化物阵列基板及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种低寄生电容效应的氧化物阵列基板及其制备方法，该阵列基板包括玻璃基板、底栅、第一栅极绝缘层、半导体层、第二栅极绝缘层、顶栅和驱动电路走线、第一中间绝缘层、第一透明导电层、第二中间绝缘层、第二透明导电层及第三金属层；半导体层的第一半导体单元的两端分别设置有导体层，第二半导体单元与底栅相对应；顶栅位于第一半导体单元上方；第三金属层的第一源极和第一漏极通过第一通孔与对应导体层相连，其第二源极和第二漏极通过第二通孔与第二半导体单元相连，其金属单元一通过第三通孔与驱动电路走线相连。本发明可以改善现有结构中寄生电容较大的问题，且还具有成本低结构简单、薄膜利用率高的优势。

本发明授权一种低寄生电容效应的氧化物阵列基板及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低寄生电容效应的氧化物阵列基板，其特征在于：所述氧化物阵列基板包括：玻璃基板，第一金属层，设置在所述玻璃基板上，所述第一金属层包括底栅； 第一栅极绝缘层，设置在所述第一金属层上； 半导体层，设置在所述第一栅极绝缘层上，所述半导体层包括第一半导体单元和第二半导体单元，所述第一半导体单元的两端分别设置有导体层，所述第二半导体单元的位置与所述底栅的位置相对应； 第二栅极绝缘层，设置在所述半导体层上； 第二金属层，设置在所述第二栅极绝缘层上，所述第二金属层包括顶栅和驱动电路走线，所述顶栅位于所述第一半导体单元上方； 第一中间绝缘层，设置在所述第二金属层上； 第一透明导电层，设置在所述第一中间绝缘层上； 第二中间绝缘层，设置在所述第一透明导电层上，所述第二中间绝缘层开设有第一通孔、第二通孔、第三通孔以及第四通孔，所述第一通孔有二个，二所述第一通孔分别位于所述顶栅的两侧，且向下贯穿所述第一中间绝缘层和所述第二栅极绝缘层，并分别露出所述第一半导体单元两端的所述导体层上表面；所述第二通孔有二个，二所述第二通孔分别位于所述第二半导体单元的上方，且向下贯穿所述第一中间绝缘层和所述第二栅极绝缘层，并露出所述第二半导体单元的上表面；所述第三通孔位于所述驱动电路走线上方，且向下贯穿所述第一中间绝缘层，并露出所述驱动电路走线的上表面；所述第四通孔位于所述第一透明导电层的上方，且露出所述第一透明导电层的上表面； 第二透明导电层，设置在所述第二中间绝缘层上； 第三金属层，设置在所述第二中间绝缘层上，所述第三金属层包括第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极以及金属单元一，所述第一源极和第一漏极分别通过对应的第一通孔与对应的所述导体层相连接；所述第二源极和第二漏极分别通过对应的第二通孔与所述第二半导体单元两端相连；所述金属单元一通过第三通孔与所述驱动电路走线相连； 当所述金属单元一的一端与所述第二透明导电层相搭接时，所述第四通孔靠近所述第二漏极设置，且所述第二漏极还通过所述第四通孔与第一透明导电层相连，此时第一透明导电层为像素电极，第二透明导电层为公共电极； 所述顶栅对应的膜层结构为驱动电路区TFT，所述底栅对应的膜层结构为显示区TFT，所述驱动电路走线对应的膜层结构为金属线区。

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