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龙图腾网获悉图灵芯半导体(成都)有限公司申请的专利一种抑制关断噪声的混合载流子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116387317B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310366084.X，技术领域涉及：H10D84/90；该发明授权一种抑制关断噪声的混合载流子器件是由汪志刚;张卓设计研发完成，并于2023-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抑制关断噪声的混合载流子器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种抑制关断噪声的混合载流子器件，包括工作区、NMOS区域303、PMOS区域304、晶闸管区域302和电容器区域，所述NMOS区域303包围所述PMOS区域304，所述PMOS区域304包围所述晶闸管区域302，所述NMOS区域303和所述晶闸管区域302均呈六边形分布，所述NMOS区域303的栅极和晶闸管区域302的栅极连接形成电容器区域。本发明解决了现有晶闸管在关断期间产生的噪声电流的问题。

本发明授权一种抑制关断噪声的混合载流子器件在权利要求书中公布了：1.一种抑制关断噪声的混合载流子器件，其特征在于，所述器件包括工作区、NMOS区域303、PMOS区域304、晶闸管区域302和电容器区域，所述NMOS区域303包围所述PMOS区域304，所述PMOS区域304包围所述晶闸管区域302，所述NMOS区域303和所述晶闸管区域302均呈六边形分布，所述NMOS区域303的栅极和晶闸管区域302的栅极连接形成电容器区域； 所述PMOS区域304包括第三电极基区120、第七掺杂区域121、第八掺杂区域104、第三掺杂区域103、第四掺杂区域102和第五掺杂区域101，所述第七掺杂区域121置于第三电极基区120下方，所述第八掺杂区域104置于第七掺杂区域121下方，所述第三掺杂区域103置于第八掺杂区域104下方，所述第四掺杂区域102置于第三掺杂区域103下方，所述第五掺杂区域101置于第四掺杂区域102下方，所述第五掺杂区域101内部包括第一电极100； 所述晶闸管区域302包括第一控制栅极203、第二电极重掺杂区域204、第二绝缘区域207、第一电极基区107、第一掺杂区域106、第二掺杂区域105、第三掺杂区域103、第四掺杂区域102和第五掺杂区域101，所述第二绝缘区域207包围第二电极重掺杂区域204，所述第二电极重掺杂区域204呈六边形分布，所述第一控制栅极203置于第二绝缘区域207内部，所述第一掺杂区域106置于第一电极基区107下方，所述第二掺杂区域105置于第一掺杂区域106下方，所述第三掺杂区域103置于第二掺杂区域105下方。

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