中山大学陈钰杰获国家专利权
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龙图腾网获悉中山大学申请的专利一种实现宽色域、高饱和度结构色的富硅氮化硅材料体系超构表面及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116360016B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310252161.9，技术领域涉及：G02B1/00；该发明授权一种实现宽色域、高饱和度结构色的富硅氮化硅材料体系超构表面及其制备方法是由陈钰杰;顾欣;朱照祥;李嘉麒;余思远设计研发完成，并于2023-03-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种实现宽色域、高饱和度结构色的富硅氮化硅材料体系超构表面及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及结构色领域，具体涉及一种实现宽色域、高饱和度结构色的富硅氮化硅材料体系超构表面及其制备方法。本发明提供了一种实现宽色域、高饱和度结构色的富硅氮化硅材料体系超构表面，包括石英基底和由叠层介质组成的超构表面，所述叠层介质从下至上依次包括氮化硅、富硅氮化硅和二氧化硅。本发明的超构表面由同位生长制得，该设计生长简单、方便，且同位生长能提供更好的过渡界面。本发明的超构表面设计维度多，通过引入可调折射率的富硅氮化硅材料，可调整变量进行超构表面结构色设计，进而调制高阶共振的分布，实现高亮度的结构色。
本发明授权一种实现宽色域、高饱和度结构色的富硅氮化硅材料体系超构表面及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种富硅氮化硅材料体系超构表面的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、通过电感耦合等离子体化学气相沉积技术在石英基底上依次沉积氮化硅薄膜、富硅氮化硅薄膜和二氧化硅薄膜； S2、在二氧化硅薄膜表面涂覆光刻胶，再采用溅射技术在光刻胶上做导电性处理； S3、通过电子束曝光将设计好的超构表面图案转移到光刻胶上； S4、去除导电层暴露出需要显影的光刻胶层，再进行显影； S5、用反应离子束刻蚀技术对样品进行刻蚀； S6、用电感耦合等离子体技术去除残胶，得到叠层介质超构表面； 步骤S1中，通过电感耦合等离子体化学气相沉积技术在石英基底上依次沉积氮化硅薄膜、富硅氮化硅薄膜和二氧化硅薄膜，生长过程所使用生长温度均为300℃，所述氮化硅、富硅氮化硅材料生长气体为SiH4和N2，所述二氧化硅生长气体为SiH4和N2O； 所述富硅氮化硅材料体系超构表面包括石英基底和由叠层介质组成的超构表面，所述叠层介质从下至上依次为氮化硅、富硅氮化硅和二氧化硅。
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