浙江大学张培勇获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利6T SRAM单元晶体管阈值电压片上测量电路、测量方法、芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116343895B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310241366.7，技术领域涉及：G11C29/50；该发明授权6T SRAM单元晶体管阈值电压片上测量电路、测量方法、芯片是由张培勇;刘蕊设计研发完成，并于2023-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本6T SRAM单元晶体管阈值电压片上测量电路、测量方法、芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种6TSRAM单元晶体管阈值电压片上测量电路、测量方法、芯片。包括：6TSRAM阵列单元、模拟开关和阈值电压确定电路。所述阈值电压确定电路通过两个模拟开关分别连接到6TSRAM阵列单元的两条位线；所述阈值电压确定电路包括与待测单元位线所接模拟开关另一侧相连的用于复制待测晶体管充放电电流的位线电流复制电路、用于产生与待测晶体管宽长比正相关的可调节电流的恒定电流产生电路、分别与位线电流复制电路和恒定电流产生电路通过电流镜相连的电流比较电路以及正负端分别接到片外电压源和电流比较电路电压输出端的动态电压比较器。
本发明授权6T SRAM单元晶体管阈值电压片上测量电路、测量方法、芯片在权利要求书中公布了：1.一种6T SRAM单元晶体管阈值电压测量电路，其特征在于，包括： 6T SRAM阵列单元，模拟开关，阈值电压确定电路，通过两个模拟开关分别连接到6T SRAM阵列单元的两条位线；所述阈值电压确定电路包括与待测单元位线所接模拟开关另一侧相连的用于复制待测晶体管充放电电流的位线电流复制电路、用于产生与待测晶体管宽长比正相关的可调节电流的恒定电流产生电路、分别与位线电流复制电路和恒定电流产生电路通过电流镜相连的电流比较电路以及正负端分别接到片外电压源和电流比较电路电压输出端的动态电压比较器。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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