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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利一种调节晶圆内活性可操作区高度均一性的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116313774B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310332176.6，技术领域涉及：H01L21/3105；该发明授权一种调节晶圆内活性可操作区高度均一性的方法是由何杨设计研发完成，并于2023-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种调节晶圆内活性可操作区高度均一性的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种调节晶圆内活性可操作区高度均一性的方法，晶圆表面分为中心区域及边缘区域，中心区域设有相互间隔的有源区结构；有源区结构的顶部依次设有pad氧化层和氮化硅层；中心区域及边缘区域均覆盖有氧化硅；氧化硅填充于有源区结构之间并覆盖氮化硅层；经由去除有源区结构上方的氧化硅，进而去除有源区结构上的氮化硅层，将有源区结构顶部的pad氧化层露出；利用氢氟酸刻蚀晶圆中心区域的pad氧化层和氧化硅，及边缘区域的氧化硅，以减小中心区域与边缘区域上的氧化硅的高度差。本发明在深井离子注入工艺前通过DHF调节晶圆内外氧化硅高度，保证晶圆内氧化硅高度良好的均一性，提升晶圆内的氧化硅高度均一性。

本发明授权一种调节晶圆内活性可操作区高度均一性的方法在权利要求书中公布了：1.一种调节晶圆内活性可操作区高度均一性的方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供晶圆，所述晶圆表面分为中心区域及边缘区域，所述中心区域为距离所述晶圆圆心30mm半径范围内的区域；所述边缘区域为距离所述晶圆圆心30mm半径范围以外的环形区域；所述中心区域设有相互间隔的有源区结构；所述有源区结构的顶部设有pad氧化层；所述pad氧化层上设有氮化硅层；所述晶圆上的中心区域及边缘区域均覆盖有氧化硅； 所述氧化硅填充于所述有源区结构之间并覆盖所述氮化硅层； 步骤二、经由化学机械研磨去除所述有源区结构上方的所述氧化硅，再由磷酸去除所述有源区结构上的所述氮化硅层，将所述有源区结构顶部的所述pad氧化层露出； 步骤三、利用氢氟酸刻蚀剂刻蚀所述晶圆中心区域浅沟道隔离区的所述氧化硅，以及边缘区域浅沟道隔离区的所述氧化硅，以减小所述中心区域与所述边缘区域上浅沟道隔离区的所述氧化硅的高度差，使所述中心区域的所述氧化硅的高度比所述有源区结构高2～10nm； 步骤四、对所述晶圆进行阱的离子注入； 步骤五、气相刻蚀所述浅沟道隔离区的所述氧化硅和pad氧化层，使得所述有源区结构顶部露出。

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