华为技术有限公司胡彬获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利一种衬底及功率放大器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116034485B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080103586.8，技术领域涉及：H01L21/20；该发明授权一种衬底及功率放大器件是由胡彬;段焕涛设计研发完成，并于2020-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种衬底及功率放大器件在说明书摘要公布了：本申请的实施例提供一种衬底及功率放大器件，涉及半导体技术领域，实现了一种新型的复合衬底，降低了晶体管对碳化硅半导体衬底的依赖，有效控制了成本。该衬底用于晶体管，其中晶体管的外延结构生成于衬底上，衬底包括：基底以及形成于基底上的第一外延层，第一外延层为半导体；其中，基底以及第一外延层包括SiC材料；第一外延层采用过渡金属掺杂。
本发明授权一种衬底及功率放大器件在权利要求书中公布了：1.一种衬底，其特征在于，用于晶体管，所述晶体管包括HEMT，其中所述晶体管的外延结构生成于所述衬底上，所述衬底包括：基底以及形成于所述基底上的第一外延层，所述第一外延层为半导体；所述外延结构包括设置于所述衬底上的缓冲层； 其中，所述基底以及所述第一外延层包括SiC材料； 所述第一外延层采用过渡金属掺杂，所述基底掺杂有提供载流子的杂质；所述第一外延层和所述基底之间包括第二外延层，所述第二外延层包括SiC材料，其中第二外延层和所述基底采用不同的加工工艺形成；所述第二外延层的电阻率大于所述基底的电阻率，并且所述第二外延层的电阻率小于所述第一外延层的电阻率。
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