江西兆驰半导体有限公司程龙获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种深紫外发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458653B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211062377.0，技术领域涉及：H10H20/815；该发明授权一种深紫外发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管是由程龙;郑文杰;曾家明;刘春杨;胡加辉设计研发完成，并于2022-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种深紫外发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种深紫外发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，深紫外发光二极管外延片包括包括衬底和依次沉积于所述衬底上的缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层；其中，所述缓冲层包括依次沉积于所述衬底上的AlON层、AlN层和Ga掺AlN层。实施本发明，可有效提升深紫外发光二极管的发光效率。
本发明授权一种深紫外发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种深紫外发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底和依次沉积于所述衬底上的缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层； 其中，所述缓冲层包括依次沉积于所述衬底上的AlON层、AlN层和Ga掺AlN层；所述AlON层中O组分的占比为0.07‑0.1；所述衬底为蓝宝石衬底； 其中，采用PVD溅射AlON层和AlN层，溅射功率为2‑5kW，溅射温度为300‑800℃，溅射压力为1‑50torr；AlON层和AlN层溅射完成后，采用MOCVD进行处理，处理气氛为H2，处理温度为1000‑1300℃，压力为50‑500torr； 所述AlON层的溅射气氛为N2、Ar和O2的混合气体，N2、Ar和O2的体积比1～10：5～30： 1；所述AlN层的溅射气氛为N2和Ar的混合气体；其中，N2和Ar的体积比1：1～10。
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