广州市众拓光电科技有限公司李国强获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉广州市众拓光电科技有限公司申请的专利一种垂直结构LED芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332419B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210997095.3，技术领域涉及：H10H20/833；该发明授权一种垂直结构LED芯片及其制备方法是由李国强设计研发完成，并于2022-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种垂直结构LED芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明申请公开了一种垂直结构LED芯片及其制备方法，垂直结构LED芯片依次设置有衬底层、粘结层、键合层、第一阻挡层、N电极层、绝缘层、保护层、导电层、第二阻挡层、外延层以及P电极层，通过在LED芯片中设置采用氧化铟锡制备而得的导电层，增强了LED芯片的导电性和透明度，改善了LED芯片的整体电流结构，从而使基于本发明实施例垂直结构LED芯片的LED灯具有更高发光通量和更好的光分布均匀性。本发明可广泛应用于半导体技术领域。
本发明授权一种垂直结构LED芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直结构LED芯片，其特征在于，包括： 衬底层； 粘结层，设置在所述衬底层的一侧； 键合层，设置在所述粘结层远离所述衬底层的一侧； 第一阻挡层，设置在所述键合层远离所述粘结层的一侧； N电极层，设置在所述第一阻挡层远离所述键合层的一侧； 绝缘层，设置在所述N电极层远离所述第一阻挡层的一侧； 保护层，设置在所述绝缘层远离所述N电极层的一侧； 导电层，设置在所述保护层远离所述绝缘层的一侧，所述导电层采用氧化铟锡制备而得； 第二阻挡层，设置在所述导电层远离所述保护层的一侧； 外延层，设置在所述第二阻挡层远离所述导电层的一侧，所述外延层包括金属反射层、p‑GaN层、多量子阱层和n‑GaN层，其中，所述金属反射层设置在所述第二阻挡层远离所述导电层的一侧，所述p‑GaN层设置在所述金属反射层远离所述第二阻挡层的一侧，所述多量子阱层设置在所述p‑GaN层远离所述金属反射层的一侧，所述n‑GaN层设置在所述多量子阱层远离所述p‑GaN层的一侧； P电极层，分别设置在所述外延层的两侧。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广州市众拓光电科技有限公司，其通讯地址为：510535 广东省广州市黄埔区开源大道136号B2栋1103室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励