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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种降低反向漏电的氧化镓肖特基二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115050842B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210864500.4，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权一种降低反向漏电的氧化镓肖特基二极管及其制备方法是由郑雪峰;苑子健;洪悦华;张翔宇;何云龙;马晓华;郝跃设计研发完成，并于2022-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种降低反向漏电的氧化镓肖特基二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种降低反向漏电的氧化镓肖特基二极管及其制备方法，主要解决现有技术无法做到无损深度刻蚀氧化镓衬底材料，无法有效降低器件反向漏电的问题。其自下而上，包括：阴极金属1、氧化镓衬底2、轻掺杂外延层3，其中，轻掺杂外延层3以旋涂玻璃SOG作为刻蚀硬掩模，通过无损深度刻蚀形成深度为1～1.5μm的鳍型结构，该鳍型沟道的凹槽内及侧壁上沉积有氧化铝介质层4，该氧化铝介质层4及轻掺杂外延层3的顶部沉积有阳极金属5，该阳极金属5与轻掺杂外延层3形成肖特基接触，以降低器件反向漏电，提高器件性能，可用于通讯、电力电子、信号处理、航空航天的电子系统。

本发明授权一种降低反向漏电的氧化镓肖特基二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种降低反向漏电的氧化镓肖特基二极管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 1对氧化镓衬底2依次进行丙酮‑异丙醇‑去离子水清洗； 2采用氢化物气相外延技术HVPE方法在清洗后的氧化镓衬底2正面进行外延轻掺杂氧化镓层3，在氩气气氛下采用磁控溅射在氧化镓衬底背面沉积欧姆阴极金属1，并对欧姆阴极金属1进行欧姆退火； 3在轻掺杂外延层3正面制备鳍型结构： 3a使用甩胶机在轻掺杂外延层3上表面甩一层旋涂玻璃SOG刻蚀硬掩膜； 3b利用光刻技术，使用光刻胶在旋涂玻璃SOG的表面上制备出刻蚀图案； 3c使用2ml 49％浓度的氢氟酸与68ml去离子水配制成BOE溶液，将做好光刻掩膜的轻掺杂外延层3浸泡在该溶液中，浸泡5分钟，将刻蚀图案转移到旋涂玻璃SOG上； 3d设置功率为200～300W,BCl3流量为30～40sccm，Cl2流量为15～20sccm，压强为10mtorr的工艺条件，利用电感耦合等离子体刻蚀技术刻蚀轻掺杂外延层3的上表面，形成鳍型结构； 4在轻掺杂外延层3表面沉积氧化铝介质层4： 4a利用光刻技术，使用光刻胶在轻掺杂外延层3的表面上制备出沉积图案； 4b采用磁控溅射技术在轻掺杂外延层3表面沉积厚度为100nm的氧化铝介质层4； 4c使用干法刻蚀工艺对沉积的氧化铝介质层4进行刻蚀开孔，将沉积在轻掺杂外延层3顶部的氧化铝刻蚀去除，以打开肖特基接触孔； 5在氧化铝介质层4上采用光刻工艺形成阳极图案，并根据阳极图案采用电子束蒸发沉积阳极金属5并将光刻图案外的金属剥离，完成器件制作。

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