广州华星光电半导体显示技术有限公司刘伟获国家专利权
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龙图腾网获悉广州华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利阵列基板的制备方法及阵列基板、显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115000177B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210363647.5，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权阵列基板的制备方法及阵列基板、显示面板是由刘伟设计研发完成，并于2022-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板的制备方法及阵列基板、显示面板在说明书摘要公布了：本申请公开了一种阵列基板的制备方法及阵列基板、显示面板。所述阵列基板的制备方法包括以下步骤：提供基底；在基底上形成栅极；在栅极上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成氧化物半导体层，氧化物半导体层包括沟道；在氧化物半导体层上形成沟道保护层，沟道保护层覆盖沟道，沟道保护层的材料包括金属；在氧化物半导体层上形成源极和漏极，源极和漏极位于沟道保护层的相对两侧；对沟道保护层进行氧化处理，以使沟道保护层形成为水溶性氧化物层；向水溶性氧化物层通入水汽，以除去水溶性氧化物层。本申请在提高薄膜晶体管稳定性的同时，实现了薄膜晶体管的小型化设计。
本发明授权阵列基板的制备方法及阵列基板、显示面板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供基底； 在所述基底上形成栅极； 在所述栅极上形成栅极绝缘层； 在所述栅极绝缘层上形成氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括沟道； 在所述氧化物半导体层上形成沟道保护层，所述沟道保护层覆盖所述沟道，所述沟道保护层的材料包括金属； 在所述氧化物半导体层上形成源极和漏极，所述源极和所述漏极位于所述沟道保护层的相对两侧； 对所述沟道保护层进行氧化处理，以使所述沟道保护层形成为水溶性氧化物层；以及向所述水溶性氧化物层通入水汽，以除去所述水溶性氧化物层。
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