西安交通大学;陕西煤业化工技术研究院有限责任公司马飞获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学;陕西煤业化工技术研究院有限责任公司申请的专利一种氧化铝/a-IGZO薄膜晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114783881B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210333660.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种氧化铝/a-IGZO薄膜晶体管及其制备方法是由马飞;曾超凡;王琛;路文墨设计研发完成，并于2022-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氧化铝/a-IGZO薄膜晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氧化铝a‑IGZO薄膜晶体管及其制备方法，该制备方法通过空心阴极等离子体放电法电离通入PLD腔体中的氧气，形成氧等离子体浓度较高的沉积环境，在a‑IGZOSiO2P+‑Si衬底上通过脉冲激光沉积制备氧化铝钝化层，再通过真空退火进一步优化薄膜性能。随炉冷却至20℃后，结合空心阴极氧等离子体和真空原位退火促使钝化层中的可动氧向a‑IGZO沟道层扩散，显著降低沟道层钝化层界面的氧空位含量，优化器件的亚阈值摆幅和迁移率，有利于提高器件的栅极电压稳定性。
本发明授权一种氧化铝/a-IGZO薄膜晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氧化铝a‑IGZO薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1，将图形化的a‑IGZOSiO2P+‑Si至于PLD腔体中，在真空条件下升温至100℃～220℃，保温3～12h进行第一次退火，冷却后获得第一过程样品； 步骤2，将第一过程样品至于PLD腔体中，以氧化铝陶瓷作为靶材，通过空心金属管向PLD腔体中充入氧气，PLD腔体接地，以空心金属管作为阴极，高压直流电源在阴极上添加电离电压；通过KrF激光器溅射氧化铝陶瓷靶材，在第一过程样品的a‑IGZO上沉积出Al2O3薄膜，获得第二过程样品； 步骤3，去除第二过程表面的光刻胶，在第二过程样品上制备出源漏电极，得到第三过程样品； 步骤4，将第三过程样于真空条件下，在80℃～140℃下保温3～12h进行第二次退火，冷却后获得氧化铝a‑IGZO薄膜晶体管。
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