桑迪士克科技有限责任公司张艳丽获国家专利权
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龙图腾网获悉桑迪士克科技有限责任公司申请的专利铁电场效应晶体管的交叉点阵列及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114730591B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080081189.5，技术领域涉及：G11C11/40；该发明授权铁电场效应晶体管的交叉点阵列及其制造方法是由张艳丽;J·阿尔斯迈耶;周非设计研发完成，并于2020-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本铁电场效应晶体管的交叉点阵列及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体结构，该半导体结构包括沿着第一水平方向横向延伸并通过线沟槽沿着第二水平方向彼此间隔开的层堆叠结构。该层堆叠结构中的每个层堆叠结构包括单元层序列的至少一个实例，该单元层序列从下至上或从上至下包括掺杂半导体源极条、沟道级绝缘条和掺杂半导体漏极条。线沟槽填充结构位于该线沟槽中的相应一个线沟槽内。该线沟槽填充结构中的每个线沟槽填充结构包括存储器柱结构和介电柱结构的横向交替序列。该存储器柱结构中的每个存储器柱结构包括栅极电极、至少一对铁电介电层和位于该沟道级绝缘条的每个层级处的至少一对垂直半导体沟道。
本发明授权铁电场效应晶体管的交叉点阵列及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，所述半导体结构包括： 层堆叠结构，所述层堆叠结构沿着第一水平方向横向延伸并通过线沟槽沿着第二水平方向彼此间隔开，其中所述层堆叠结构中的每个层堆叠结构包括单元层序列的至少一个实例，所述单元层序列的每个实例从下至上或从上至下包括金属源极条、掺杂半导体源极条、沟道级绝缘条、掺杂半导体漏极条、金属漏极条和晶体管间级绝缘条；和线沟槽填充结构，所述线沟槽填充结构位于所述线沟槽中的相应一个线沟槽内，其中所述线沟槽填充结构中的每个线沟槽填充结构包括存储器柱结构和介电柱结构的横向交替序列，所述存储器柱结构和所述介电柱结构沿所述第一水平方向交替，并且其中所述存储器柱结构中的每个存储器柱结构包括栅极电极、至少一对铁电介电层和至少一对垂直半导体沟道，其中所述至少一对垂直半导体沟道的每一对垂直半导体沟道位于所述单元层序列的所述至少一个实例中的相应一个的所述沟道级绝缘条的层级处。
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