西安电子科技大学汤晓燕获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种新型超级浮动结碳化硅功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114628494B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210108877.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种新型超级浮动结碳化硅功率器件及其制备方法是由汤晓燕;刘延聪;张玉明;袁昊;宋庆文设计研发完成，并于2022-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种新型超级浮动结碳化硅功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供的一种新型超级浮动结碳化硅功率器件及其制备方法，制备出的新型超级浮动结碳化硅功率器件包括背部电极1、N+衬底区2、N‑外延区3、P型浮动结区4、P型超级结区5、表面P+区6以及正面电极7；本发明在外延层中加入一层或多层不连续的P+结构，类似于在外延层内部形成PN结结构，同时本发明在浮结结构设计中，局部浮结结构用P柱5与表面P+区6连接，因此器件内部的P+区内部的负电荷可以被表面抽取，使器件在反向截止后，正向仍然可以正常导通。
本发明授权一种新型超级浮动结碳化硅功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种新型超级浮动结碳化硅功率器件，其特征在于，包括： 背部电极1、N+衬底2、N‑外延区3、P型浮动结区4、P型超级结区5、表面P+区6以及正面电极7； 所述N‑外延区3位于所述N+衬底2之上，在所述N‑外延区3内部垂直方向间隔设置有多层浮动结层，每层浮动结层包括多个独立的P型浮动结区4，所述N‑外延区3内部水平方向间隔设置有多个所述P型超级结区5；相邻层正对的P型浮动结区4通过一个P型超级结区5连接；所述表面P+区6位于所述N‑外延区3的最上层，第一层的每个P型浮动结区4通过一个P型超级结区5与所述表面P+区6相连；所述正面电极7沉积在所述表面P+区6之上，所述背部电极1沉积在所述N+衬底2的下表面上；所述P型超级结区5以及P型浮动结区4为正多边形，所述正多边形为正六边形。
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