联合微电子中心有限责任公司张舒获国家专利权
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龙图腾网获悉联合微电子中心有限责任公司申请的专利图像传感器的制备方法及图像传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114582897B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011371363.8，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权图像传感器的制备方法及图像传感器是由张舒;黄文军;陈世杰;张斌设计研发完成，并于2020-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像传感器的制备方法及图像传感器在说明书摘要公布了：本发明提供一种图像传感器的制备方法及图像传感器，所述图像传感器包括：一主动式钝化层，所述主动式钝化层包含电荷存储区；一透明导电膜，覆盖所述主动式钝化层；一绝缘层，所述绝缘层覆盖主动式钝化层的侧壁；一金属导线，所述金属导线使透明导电膜和控制电路形成电学连接。上述技术方案可以通过主动式钝化层俘获并保存电子，使光生电子不易到达图像传感器的入光面，从而降低表面暗电流，大幅提高图像传感器的成像质量。并且通过透明导电膜与控制电路的电学连接，实现周期性主动控制钝化层的功能。
本发明授权图像传感器的制备方法及图像传感器在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 在图像传感器入光面沉积主动式钝化层，所述主动式钝化层包含采用三层异质材料的电荷存储区，所述电荷存储区包括第一介质层、第二介质层、以及第三介质层，所述第一介质层采用氧化硅或氮氧化硅材料，所述第二介质层采用氮化硅材料，所述第三介质层采用氧化硅或氮氧化硅材料； 在主动式钝化层表面生长一透明导电膜； 图形化所述主动式钝化层，并去除对应部分的透明导电膜，以暴露出设置在图像传感器内部的控制电路； 形成用于电学连接透明导电膜和控制电路的金属导线。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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