美光科技公司孔令宇获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114521291B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080067615.X，技术领域涉及：H10B41/27；该发明授权存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法是由孔令宇;D·戴寇克;文卡塔·萨蒂亚纳拉亚纳·穆尔蒂·库拉帕蒂;L·E·维博沃设计研发完成，并于2020-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法在说明书摘要公布了：一种用于形成存储器阵列的方法包括形成包括垂直交替第一层面及第二层面的堆叠。第一绝缘体层面在所述堆叠上方。所述第一绝缘体层面的第一绝缘体材料包括a及b中的至少一者，其中a：硅、氮以及碳、氧、硼及磷中的一或多者，且b：碳化硅。沟道材料串在所述堆叠中且在所述第一绝缘体层面中。导电材料在所述第一绝缘体层面中直接抵靠所述沟道材料串中的个别者的侧。第二绝缘体层面形成于所述第一绝缘体层面及所述导电材料上方。所述第二绝缘体层面的第二绝缘体材料包括所述a及所述b中的至少一者。导电通孔经形成且延伸穿过所述第二绝缘体层面且个别地通过所述导电材料直接电耦合到所述个别沟道材料串。公开了包含与方法无关的结构的其它方面。
本发明授权存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于形成存储器阵列的方法，其包括： 形成包括垂直交替第一层面20及第二层面22的堆叠18，第一绝缘体层面70在所述堆叠上方；所述第一绝缘体层面的第一绝缘体材料39包括a及b中的至少一者，其中a：硅、氮以及碳、氧、硼及磷中的一或多者，且b：碳化硅；沟道材料串53在所述堆叠中且在所述第一绝缘体层面中，导电材料31在所述第一绝缘体层面中直接抵靠个别沟道材料串的侧； 在所述第一绝缘体层面70及所述导电材料31上方形成第二绝缘体层面73，所述第二绝缘体层面的第二绝缘体材料41包括所述a及所述b中的至少一者，所述第一绝缘体层面70及所述第二绝缘体层面73的所述第一绝缘体材料39及所述第二绝缘体材料41分别未直接抵靠彼此；及形成延伸穿过所述第二绝缘体层面的导电通孔43，所述导电通孔个别地通过所述导电材料直接电耦合到所述个别沟道材料串。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励