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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种增强型N面GaN基p沟道器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114520145B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210013551.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种增强型N面GaN基p沟道器件及其制备方法是由侯斌;牛雪锐;王博麟;杨凌;武玫;张濛;王冲;马晓华;郝跃设计研发完成，并于2022-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种增强型N面GaN基p沟道器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种增强型N面GaN基p沟道器件及其制备方法，该方法包括：提供第一衬底；在第一衬底表面生长外延结构；在p‑GaN层远离AlGaN势垒层一侧的表面刻蚀第一凹槽，并沉积SiN层；在SiN层远离p‑GaN层一侧的表面键合第二衬底；翻转样品后，刻蚀掉第一衬底、GaN缓冲层及GaN层，并在AlGaN势垒层的第一预设区域、第二预设区域制作源、漏电极；在AlGaN势垒层远离第二衬底的一侧表面刻蚀第二凹槽，并制作栅电极；在AlGaN势垒层远离第二衬底的一侧表面生长SiN保护层，并在SiN保护层上光刻金属互联层开孔区后引出电极。该方法能够改善空穴的迁移率，进而使制得的p沟道GaN器件的性能得以提升。

本发明授权一种增强型N面GaN基p沟道器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种增强型N面GaN基p沟道器件制备方法，其特征在于，包括： 提供第一衬底； 在所述第一衬底表面生长外延结构，所述外延结构包括依次生长于所述第一衬底表面的GaN缓冲层、GaN层、AlGaN势垒层和p‑GaN层； 在p‑GaN层远离AlGaN势垒层一侧的表面刻蚀第一凹槽，并沉积形成SiN层； 在SiN层远离p‑GaN层一侧的表面键合形成第二衬底； 沿垂直于第一衬底所在平面的方向翻转样品后，依次刻蚀掉所述第一衬底、所述GaN缓冲层以及所述GaN层，暴露出AlGaN势垒层的N极性表面，并在所述AlGaN势垒层的第一预设区域制作源电极、在所述AlGaN势垒层的第二预设区域制作漏电极； 在AlGaN势垒层远离第二衬底的一侧表面刻蚀形成第二凹槽，并在所述第二凹槽内制作栅电极；其中，沿垂直于第一衬底所在平面的方向，所述第一凹槽的正投影与所述第二凹槽的正投影重合，所述栅电极直接接触所述AlGaN势垒层； 在所述AlGaN势垒层远离第二衬底的一侧表面生长SiN保护层，并在SiN保护层上光刻金属互联层开孔区后引出源电极、漏电极和栅电极，得到所述增强型N面GaN基p沟道器件。

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