PEP创新私人有限公司周辉星获国家专利权
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龙图腾网获悉PEP创新私人有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114512457B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111358508.5，技术领域涉及：H01L23/485；该发明授权半导体结构及其制造方法是由周辉星设计研发完成，并于2021-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开阐述了一种半导体结构及其制造方法，其中，该半导体结构具有设置在半导体晶圆的晶圆活性面上的绝缘层，用于覆盖所述晶圆活性面。绝缘层在一些实施例中可以是保护层，而在其他实施例中可以是覆盖层。绝缘层具有通孔开口以暴露接触垫以引出电气连接。具体地，通过多步蚀刻工艺例如两步蚀刻工艺形成通孔开口而不损坏接触垫。两步蚀刻工艺包括第一激光蚀刻工艺，使用普通脉冲P和普通能量E在所述覆盖层中形成通孔半开口；以及第二蚀刻工艺，使用低P和低E的激光蚀刻工艺或等离子蚀刻工艺。第二蚀刻工艺避免损坏所述接触垫。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 一半导体晶圆，具有相对的晶圆活性面与晶圆非活性面，其中多个接触垫形成于所述晶圆活性面上； 一绝缘层，位于所述晶圆活性面上，用于覆盖所述晶圆活性面和接触垫；以及多个形成于所述绝缘层中的通孔开口，用于将所述接触垫从绝缘层中暴露，而不损坏所述接触垫； 通过多步蚀刻工艺去除对应于接触垫的绝缘层顶部而形成通孔开口； 在所述多步蚀刻工艺的最后蚀刻步骤之前，通过在所述通孔开口中留下一剩余绝缘层而形成半孔开口； 所述通孔开口包括下侧壁和上侧壁，所述下侧壁从所述上侧壁延续，由此所述通孔开口的侧壁从所述绝缘层的顶部向所述通孔开口底部逐渐变窄。
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