厦门半导体工业技术研发有限公司陈瑞隆获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门半导体工业技术研发有限公司申请的专利一种存储器及使用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496029B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111601934.7，技术领域涉及：G11C11/419；该发明授权一种存储器及使用方法是由陈瑞隆;柯志斌;李淡;黄天辉设计研发完成，并于2021-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种存储器及使用方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种存储器及使用方法，该存储器在保留了存储单元一侧集成有第一灵敏放大器和写驱动电路的输入输出端口的基础之上，在存储单元的另一侧还增设了至少一个第二灵敏放大器和至少一个读驱动电路；其中，存储单元阵列中每一存储单元中的每条位线都一对一连接有一个第二灵敏放大器，第二灵敏放大器的另一端与读驱动电路连接。由于存储单元阵列中每一存储单元中的每条位线都连接有一个第二灵敏放大器，就可以通过每一第二灵敏放大器读取位线所在位中的数据，且互不干扰。如此，可并行读取大量数据有多少位就可以同时读取多少个数据，特别适合高带宽读出低带宽写入的应用场景。
本发明授权一种存储器及使用方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括： 存储单元阵列，包括多个存储单元，每个存储单元的存储容量为8位或64位，分别对应8条或64条位线； 位于所述存储单元阵列一侧的地址译码器、集成有第一灵敏放大器和写驱动电路的输入输出端口，其中，所述集成有第一灵敏放大器和写驱动电路的输入输出端口用于写入数据； 位于所述存储单元阵列另一侧的至少一个第二灵敏放大器和至少一个读驱动电路，其中，所述第二灵敏放大器用于读取数据； 其中，所述存储单元阵列中每一存储单元中的每条位线都一对一连接有一个所述第二灵敏放大器，所述第二灵敏放大器的另一端与所述读驱动电路连接；其中，所述第二灵敏放大器与所述读驱动电路的连接为一对一的连接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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