华虹半导体(无锡)有限公司许昭昭获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利浮栅型分栅闪存器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114038854B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111367817.9，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权浮栅型分栅闪存器件及其制造方法是由许昭昭设计研发完成，并于2021-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本浮栅型分栅闪存器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种浮栅型分栅闪存器件及其制造方法，该浮栅型分栅闪存器件包括P型阱等，选择栅氧化层、选择栅多晶硅层、第二氧化硅层、第二氮化硅层、第三氧化硅层依次位于P型阱的上面，两个侧墙型控制栅多晶硅层、隔离介质层都位于第三氧化硅层的一个缺口X内，浮栅氧化硅介质层位于第三氧化硅层的外面、隔离介质层的外面，两个侧墙型浮栅多晶硅层位于浮栅氧化硅介质层的外面且分别对应两个侧墙型控制栅多晶硅层，第二LDD区、源漏区都位于P型阱的两侧顶部。本发明可有效地降低WL‑FG的耦合系数，同时增加CG‑FG的耦合系数，达到增强CG控制能力，减小器件漏电的效果，提高闪存器件的性能。
本发明授权浮栅型分栅闪存器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种浮栅型分栅闪存器件，其特征在于，其包括P型阱、选择栅氧化层、选择栅多晶硅层、第二氧化硅层、第二氮化硅层、第三氧化硅层、侧墙型控制栅多晶硅层、隔离介质层、浮栅氧化硅介质层、侧墙型浮栅多晶硅层、第二LDD区、源漏区、第四侧墙介质层和第五侧墙介质层， 选择栅氧化层、选择栅多晶硅层、第二氧化硅层、第二氮化硅层、第三氧化硅层依次位于P型阱的上面，两个侧墙型控制栅多晶硅层、隔离介质层都位于第三氧化硅层的一个缺口内，浮栅氧化硅介质层位于第三氧化硅层的外面、隔离介质层的外面，两个侧墙型浮栅多晶硅层位于浮栅氧化硅介质层的外面且分别对应两个侧墙型控制栅多晶硅层，侧墙型控制栅多晶硅层和侧墙型浮栅多晶硅层在横向上有重叠的区域，第二LDD区、源漏区都位于P型阱的两侧顶部，第四侧墙介质层和第五侧墙介质层依次位于侧墙型浮栅多晶硅层的外侧。
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