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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利一种晶圆结构、制造方法和三维存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114023724B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111296139.1，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权一种晶圆结构、制造方法和三维存储器是由尹朋岸;胡思平;姚兰设计研发完成，并于2021-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶圆结构、制造方法和三维存储器在说明书摘要公布了：本申请提供了一种晶圆结构、制造方法和三维存储器，该晶圆结构包括：衬底，位于衬底上的膜层，位于膜层中或上的反光图案，位于膜层上的氧化层中的界面键合标记，氧化层位于反光图案远离衬底的一侧，反光图案与界面键合标记在衬底所在平面的正投影重叠。反光图案的图案密度和界面键合标记的图案密度的差值的绝对值大于或等于临界阈值。由于设置的反光图案的图案密度和界面键合标记的图案密度差异较大，从而反光图案和界面键合标记经键合机台光源照射反射的光量也差异较大，在镜头下界面键合标记的明暗对比度较高，可以准确识别界面键合标记，从而提高了晶圆键合对准的准确度。

本发明授权一种晶圆结构、制造方法和三维存储器在权利要求书中公布了：1.一种晶圆结构，其特征在于，包括： 衬底； 位于所述衬底上的膜层； 位于所述膜层中或上的反光图案； 位于所述膜层上的氧化层中的界面键合标记；所述氧化层位于所述反光图案远离所述衬底的一侧； 所述反光图案与所述界面键合标记在所述衬底所在平面的正投影重叠； 所述反光图案的图案密度和所述界面键合标记的图案密度的差值的绝对值大于或等于临界阈值；所述反光图案的图案密度为所述反光图案的面积占所在膜层的总面积的比例，所述界面键合标记的图案密度为所述界面键合标记的面积占所在氧化层的总面积的比例； 所述反光图案的图案密度和所述界面键合标记的图案密度的差值的绝对值大于或等于临界阈值，包括： 所述反光图案的图案密度小于或等于第一预设阈值，所述界面键合标记的图案密度大于或等于第二预设阈值；所述第二预设阈值大于所述第一预设阈值；所述第二预设阈值与所述第一预设阈值的差值大于或等于所述临界阈值；或，所述反光图案的图案密度大于或等于第三预设阈值，所述界面键合标记的图案密度小于或等于第四预设阈值；所述第三预设阈值大于所述第四预设阈值；所述第三预设阈值与所述第四预设阈值的差值大于或等于所述临界阈值。

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