台湾积体电路制造股份有限公司吴沛勳获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113053888B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011276805.0，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权集成电路是由吴沛勳;韩铭鸿;陈柏年;林志勇设计研发完成，并于2020-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路在说明书摘要公布了：在此提供一种集成电路和半导体装置。此半导体装置包括基板；位于基板上的输入输出装置；位于基板上的核心装置。此输入输出装置包括第一栅极结构，其具有界面层；第一高介电常数介电质堆叠，其位于界面层上；以及导电层，其位于第一高介电常数介电质堆叠上并与之物理接触。核心装置包括包括第二栅极结构，其具有界面层；第二高介电常数介电质堆叠，其位于界面层上；以及导电层，其位于第二高介电常数介电质堆叠上并与之物理接触。第一高介电常数介电质堆叠包括第二高介电常数介电质堆叠及第三介电层。
本发明授权集成电路在权利要求书中公布了：1.一种集成电路，包括： 一基板，具有一第一区域及一第二区域； 一第一全绕式栅极装置，位于该第一区域中，其中该第一全绕式栅极装置包括： 一第一通道构件，在一第一方向上纵向延伸；以及一第一栅极结构，包裹该第一通道构件的一通道区域，其中该第一栅极结构包括一第一界面层，该第一界面层具有在垂直于该第一方向的一第二方向上所测量到的一第一厚度； 一第二全绕式栅极装置，位于该第一区域中，其中该第二全绕式栅极装置包括： 一第二通道构件，在该第一方向上纵向延伸；以及一第二栅极结构，包裹该第二通道构件的一通道区域，其中该第二栅极结构包括一第二界面层，该第二界面层具有在该第二方向上所测量到的一第二厚度，且该第二厚度大于该第一厚度；以及一第三全绕式栅极装置，位于该第二区域中，其中该第三全绕式栅极装置包括： 一第三通道构件，在该第一方向上纵向延伸；以及一第三栅极结构，包裹该第三通道构件的一通道区域，其中该第三栅极结构包括一第三界面层，该第三界面层具有在该第二方向上所测量到的一第三厚度，且该第三厚度大于该第二厚度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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