三星电子株式会社孙龙勋获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体存储器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112992902B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011036910.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体存储器件及其制造方法是由孙龙勋;金哉勋;朴光浩;郑承宰设计研发完成，并于2020-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器件及其制造方法在说明书摘要公布了：公开了半导体存储器件，包括：堆叠结构，包括竖直堆叠在衬底上的多个层，每个层包括半导体图案、在该半导体图案上沿第一方向延伸的栅电极以及电连接到该半导体图案的数据存储元件；多个竖直绝缘体，穿透堆叠结构，该竖直绝缘体沿第一方向布置；以及位线，设置在堆叠结构的一侧处并竖直延伸。位线将堆叠的半导体图案电连接。竖直绝缘体中的每一个包括彼此相邻的第一竖直绝缘体和第二竖直绝缘体。栅电极包括设置在第一竖直绝缘体与第二竖直绝缘体之间的连接部分。
本发明授权半导体存储器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器件，包括： 堆叠结构，包括竖直堆叠在衬底上的多个层，其中，所述多个层中的每一个包括半导体图案、在所述半导体图案上沿第一方向延伸的栅电极以及电连接到所述半导体图案的数据存储元件； 多个竖直绝缘体，穿透所述堆叠结构，所述多个竖直绝缘体中的至少一个沿所述第一方向布置；以及位线，在所述堆叠结构的一侧上竖直延伸，其中，所述位线将所述半导体图案电连接，所述多个竖直绝缘体中的每一个包括第一竖直绝缘体和与所述第一竖直绝缘体相邻的第二竖直绝缘体，并且所述栅电极包括在所述第一竖直绝缘体与所述第二竖直绝缘体之间的连接部分。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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