日月光半导体制造股份有限公司黄文宏获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112992826B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110133912.6，技术领域涉及：H01L23/48；该发明授权半导体结构及其制造方法是由黄文宏;苏育贤设计研发完成，并于2021-02-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体结构及其制造方法，通过在粘合层中设置围绕导通孔的阻挡层，以阻挡反射至粘合层上的光，以尽量避免出现导通孔的孔底扩孔现象，提高导通孔的质量，进而提高半导体结构的稳定性。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 基板； 粘合层，设于所述基板上； 重布线层，设于所述粘合层上； 导通孔，贯穿所述粘合层和所述重布线层，所述重布线层与所述基板通过所述导通孔电性连接，其中，所述导通孔包括下开孔； 阻挡层，嵌设于所述粘合层且围绕所述导通孔，其中，所述阻挡层为环形结构，所述环形结构的数量为至少两个，所述阻挡层用于阻挡光以及定义所述导通孔的所述下开孔的孔径。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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