甬矽半导体(宁波)有限公司徐玉鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉甬矽半导体(宁波)有限公司申请的专利2.5D衬底封装结构和封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120511249B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510990631.0，技术领域涉及：H01L23/488；该发明授权2.5D衬底封装结构和封装方法是由徐玉鹏;何正鸿设计研发完成，并于2025-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本2.5D衬底封装结构和封装方法在说明书摘要公布了：本申请提供的一种2.5D衬底封装结构和封装方法，涉及半导体封装领域。该2.5D衬底封装结构包括中介层、缓冲部、第二电连部和凸块。中介层上设有布线层和与布线层电连接的第一电连部，缓冲部设于第一电连部远离布线层的一侧。第二电连部设于缓冲部远离第一电连部的一侧；第二电连部与第一电连部电性连接。凸块位于第二电连部远离缓冲部的一侧，并电性连接于第二电连部。通过设置缓冲部，能够减小凸块和第一电连部的接触面积，缓减电迁移，以及缓冲部能提高结构支撑性和缓冲性能，可吸收贴装压力避免第一电连部产生裂纹。
本发明授权2.5D衬底封装结构和封装方法在权利要求书中公布了：1.一种2.5D衬底封装结构，其特征在于，包括： 中介层，所述中介层上设有布线层和与所述布线层电连接的第一电连部； 缓冲部，所述缓冲部设于所述第一电连部远离所述布线层的一侧； 第二电连部，所述第二电连部设于所述缓冲部远离所述第一电连部的一侧；所述第二电连部与所述第一电连部电性连接； 凸块，所述凸块位于所述第二电连部远离所述缓冲部的一侧，并电性连接于所述第二电连部； 所述缓冲部内设有金属柱和金属层，所述金属柱和所述金属层交叉设置，并在交界处形成界面合金金属。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人甬矽半导体(宁波)有限公司，其通讯地址为：315400 浙江省宁波市余姚市中意宁波生态园滨海大道60号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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