甬矽半导体(宁波)有限公司徐玉鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉甬矽半导体(宁波)有限公司申请的专利2.5D衬底制作方法和封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120356827B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510838330.6，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权2.5D衬底制作方法和封装结构是由徐玉鹏;钟磊;何正鸿;简志宏设计研发完成，并于2025-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本2.5D衬底制作方法和封装结构在说明书摘要公布了：本申请提供的一种2.5D衬底制作方法和封装结构，该2.5D衬底制作方法包括：提供贴装有金属部件和中介层的第一载具；中介层内设有金属柱；在第一载具上形成包覆金属部件和中介层的保护层。在金属部件上形成第一凹槽。研磨中介层和保护层，以使中介层和保护层表面低于金属部件的表面。在中介层和保护层的表面形成具有第一开口的第一介质层；第一开口露出金属柱。在第一开口内形成种子层；种子层延伸至金属部件表面并填充第一凹槽。在种子层上形成布线层。可以提升种子层和第一介质层的结合力，以及防止蚀刻过程中对中介层侧壁的腐蚀，提高封装质量和精度。
本发明授权2.5D衬底制作方法和封装结构在权利要求书中公布了：1.一种2.5D衬底制作方法，其特征在于，包括： 提供贴装有金属部件和中介层的第一载具；其中，每个所述金属部件围设于一个所述中介层的外周；所述中介层内设有金属柱； 在所述第一载具上形成包覆所述金属部件和所述中介层的保护层； 在所述金属部件上形成第一凹槽； 研磨所述中介层和所述保护层，以使所述中介层和所述保护层表面低于所述金属部件的表面； 在所述中介层和所述保护层的表面形成具有第一开口的第一介质层；所述第一开口露出所述金属柱； 在所述第一介质层上形成种子层；所述种子层延伸至所述金属部件表面并填充所述第一凹槽；所述种子层的厚度等于所述第一凹槽的深度； 在所述种子层上形成布线层； 去除所述第一开口以外的所述种子层； 形成金属层和凸块；其中所述金属层和所述布线层电性连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人甬矽半导体(宁波)有限公司，其通讯地址为：315400 浙江省宁波市余姚市中意宁波生态园滨海大道60号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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