南昌大学岳之浩获国家专利权
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龙图腾网获悉南昌大学申请的专利一种改性硅基负极材料及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120109185B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510586390.3，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权一种改性硅基负极材料及其制备方法与应用是由岳之浩;温丽君;马浩强;金晨鑫;徐国军设计研发完成，并于2025-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种改性硅基负极材料及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种改性硅基负极材料及其制备方法与应用，涉及新能源电池负极技术领域。本发明提供的制备方法，包括：将硼硅基体在预锂溶液内浸渍并蒸干溶剂后煅烧得改性基体；在改性基体表面原位生长氮化硅纳米线制得复合基体；将复合基体在还原气氛内进行还原后表面包覆介孔碳制得改性硅基负极材料。本发明能够有效提高负极材料的充放电过程中的结构稳定性，避免负极材料粉化导致循环性能下降，同时通过对硼硅基体进行预锂化能够提高首效。
本发明授权一种改性硅基负极材料及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种改性硅基负极材料的制备方法，其特征在于，包括：将氧化硼与硅粉混合后煅烧得硼硅前体；将硼硅前体在含氮气氛中煅烧后研磨得硼硅中间体；将硼硅中间体在硅烷溶液内浸润后干燥得硼硅基体；将硼硅基体在预锂溶液内浸渍并蒸干溶剂后煅烧得改性基体；将改性基体在1000℃‑1100℃硅源气体中沉积10min‑15min制得中间体；将中间体在1000℃‑1100℃硅氮气体中生成30min‑50min后冷却得复合基体；将复合基体在还原气氛内进行还原后表面包覆介孔碳制得改性硅基负极材料。
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