国科光芯金杏(北京)实验室科技有限公司刘敬伟获国家专利权
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龙图腾网获悉国科光芯金杏(北京)实验室科技有限公司申请的专利电光薄膜晶圆及制备方法和异质集成电光调制器制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119846862B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510124220.3，技术领域涉及：G02F1/03；该发明授权电光薄膜晶圆及制备方法和异质集成电光调制器制备方法是由刘敬伟;李超;李春龙;周良;蔡丰任;张彦乐;花晓强设计研发完成，并于2025-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本电光薄膜晶圆及制备方法和异质集成电光调制器制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体领域，涉及电光调制器制备技术，公开了一种电光薄膜晶圆及制备方法和异质集成电光调制器制备方法。所述电光薄膜晶圆包括第一衬底和电光薄膜层，第一衬底上设有多个凸出部，相邻的凸出部之间具有间隙；每个凸出部上均设有第一键合介质层。凸出部包括去除速率大于第一衬底和第一键合介质层的刻蚀层，电光薄膜层与第一键合介质层键合连接。所述制备方法包括：将制备的电光薄膜晶圆切片键合在光波导晶圆上；逐次去除第一衬底和第一键合介质层上残余的凸出部；形成电极得到异质集成电光调制器。本发明可以缩短第一衬底去除时间，降低成本，提高去除均匀性，减轻衬底残留对光波导传播损耗的影响，降低光波导衬底刻蚀损伤等。
本发明授权电光薄膜晶圆及制备方法和异质集成电光调制器制备方法在权利要求书中公布了：1.一种电光薄膜晶圆，其特征在于，包括： 第一衬底1，所述第一衬底1上设有多个凸出部2，相邻的所述凸出部2之间具有间隙3，所述凸出部2为条型和或柱形，所述凸出部2按阵列分布在所述第一衬底1上；每个所述凸出部2上均设有第一键合介质层4，所述凸出部2包括刻蚀层202，所述刻蚀层202的去除速率大于所述第一衬底1和所述第一键合介质层4的去除速率； 电光薄膜层5，所述电光薄膜层5与所述第一键合介质层4键合连接。
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