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龙图腾网获悉上海泽丰半导体科技有限公司;华东理工大学申请的专利一种单晶玻璃陶瓷的制备方法和单晶玻璃陶瓷获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119019085B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411133147.8，技术领域涉及：C03B32/02；该发明授权一种单晶玻璃陶瓷的制备方法和单晶玻璃陶瓷是由曾惠丹;贾庆超;王闻之;陈晨;于航;余佳妍设计研发完成，并于2024-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单晶玻璃陶瓷的制备方法和单晶玻璃陶瓷在说明书摘要公布了：本发明提供了一种单晶玻璃陶瓷的制备方法和一种单晶玻璃陶瓷。单晶玻璃陶瓷的制备方法包括步骤：准备原料并处理原料，以获得玻璃粉体；以及通过高温脉冲方法处理玻璃粉体，冷却后获得单晶玻璃陶瓷，其中，高温脉冲方法通过多阶段的升温、降温和或保温以实现，高温脉冲方法的温度保持在780～880℃之间。

本发明授权一种单晶玻璃陶瓷的制备方法和单晶玻璃陶瓷在权利要求书中公布了：1.一种单晶玻璃陶瓷的制备方法，其特征在于，包括步骤： 准备原料并处理所述原料，以获得玻璃粉体，所述玻璃粉体包括40.4～47.2mol％的CaO、10～17mol％的B2O3、36～42mol％的SiO2和0～5.34mol％的Al2O3；以及通过高温脉冲方法处理所述玻璃粉体，冷却后获得单晶玻璃陶瓷，其中，所述高温脉冲方法通过多阶段的升温、降温和或保温以实现，所述高温脉冲方法的温度保持在780～880℃之间，所述高温脉冲方法的多阶段包括第一阶段、第二阶段、第三阶段和或第四阶段，所述第二阶段和所述第三阶段为重复循环的升温、降温和或保温过程，其中，所述第一阶段结束后，所述高温脉冲方法执行重复循环的所述第二阶段，所述第二阶段的重复循环次数为2～8次，所述第二阶段包括分阶段降温过程，所述第二阶段包括步骤： 以1～2℃min的升温速率升温至850～880℃，并保温30～120分钟； 以1～2℃min的降温速率降温至820～840℃；以及改变降温速率，以0.5～2℃min的降温速率降温至780～800℃，并保温30～120分钟； 所述第二阶段结束后，所述高温脉冲方法执行重复循环的所述第三阶段，所述第三阶段的重复循环次数为2～8次，包括步骤： 以1～3℃min的升温速率升温至850～870℃，并保温30～120分钟；以及以0.5～2℃min的降温速率降温至780～800℃，并保温30～120分钟。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海泽丰半导体科技有限公司;华东理工大学，其通讯地址为：201306 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区翠波路201、221号1幢4层404室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。