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龙图腾网获悉佛山市国星光电股份有限公司申请的专利一种发光模组获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118676176B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410726111.4，技术领域涉及：H10H29/30；该发明授权一种发光模组是由赵龙;陈黎敏;朱丽娜;章金惠;梁丽芳;谢志国设计研发完成，并于2024-06-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种发光模组在说明书摘要公布了：本发明公开了一种发光模组，所述发光模组包括：基板、设置在所述基板上的芯片阵列、包覆在所述芯片阵列四周的围坝、设置在所述芯片阵列上方的光转换层、以及包覆在所述围坝四周的封装层；所述芯片阵列设置有若干个P电极和若干个N电极，所述若干个P电极和所述若干个N电极之间填充有支撑胶。基于双层封装和芯片阵列配合，简化车灯的光学结构，在芯片阵列的若干个P电极和若干个N电极之间填充支撑胶，提高芯片阵列的出光对比度，从而提高所述发光模组的出光光效。

本发明授权一种发光模组在权利要求书中公布了：1.一种发光模组，其特征在于，所述发光模组包括：基板、设置在所述基板上的芯片阵列、包覆在所述芯片阵列四周的围坝、设置在所述芯片阵列上方的光转换层、以及包覆在所述围坝四周的封装层； 所述芯片阵列设置有若干个P电极和若干个N电极，所述若干个P电极和所述若干个N电极之间填充有支撑胶； 所述围坝为透明胶层，所述封装层为黑色胶层，或所述封装层为白色胶层； 所述围坝的高度为h1，所述光转换层的高度为h2，所述h1和所述h2之间的约束关系为： h1≥h2； 所述芯片阵列包括芯片主体结构，所述芯片主体结构包括：依次层叠设置的缓冲层、N型半导体层、量子阱层、P型半导体层和电极过渡层； 所述芯片主体结构内形成有所述若干个P电极和所述若干个N电极； 所述芯片主体结构上开设有若干个线槽，所述芯片主体结构基于所述线槽形成阵列排布的若干个凸台； 所述若干个凸台的阵列结构中包括若干个N极凸台和若干个P极凸台，在所述P极凸台上形成P电极，且所述若干个P电极形成P电极阵列，在所述N极凸台上形成N电极，所述若干个N电极设置在所述P电极阵列的外缘； 所述N电极包括设置在所述N极凸台的第一电极层以及设置在所述第一电极层上的N极焊点，所述第一电极层的一侧沿所述N极凸台的侧壁向所述线槽的底部延伸； 所述P电极包括设置在所述P极凸台的第二电极层以及设置在所述第二电极层上的P极焊点； 任一所述线槽的开槽深度延伸至所述N型半导体层，所述N电极的第一电极层延伸至所述N型半导体层。

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