济南大学唐雪娜获国家专利权
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龙图腾网获悉济南大学申请的专利一种铋基杂化半导体材料及其光电探测应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116924971B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310939460.X，技术领域涉及：C07D213/38；该发明授权一种铋基杂化半导体材料及其光电探测应用是由唐雪娜;刘广宁;王婷婕;高城城;李村成设计研发完成，并于2023-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种铋基杂化半导体材料及其光电探测应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种零维铋基有机‑无机杂化半导体的制备方法及其应用。所述的杂化半导体分子式为H2ampGBiI6，式中的H2amp2+是双质子化的4‑氨基甲基吡啶阳离子，G+为质子化的胍离子，该材料中的BiI6–阴离子是由三价铋离子和碘离子配位形成的零维阴离子。通过选择氧化铋、4‑氨基甲基吡啶、碳酸胍、氢碘酸为反应原料，采用溶液法获得化合物H2ampGBiI6的单晶，可以用于光电探测领域。
本发明授权一种铋基杂化半导体材料及其光电探测应用在权利要求书中公布了：1.一种有机‑无机铋碘杂化半导体材料，其特征在于材料的分子式为H2ampGBiI6，式中的H2amp2+为双质子化的4‑氨基甲基吡啶离子，G+为质子化的胍离子，材料结晶于单斜晶系，C2m空间群，单胞参数为a=17.039 Å，b=8.845 Å，c=17.0615 Å，α=90º，β=108.159º，γ=90º，晶体颜色为红色，表现为离子型杂化结构，其中阳离子为H2amp2+阳离子和G+胍离子，阴离子为BiI63–八面体零维阴离子。
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