应用材料公司许瑞元获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利硬模和通过等离子体增强化学气相沉积形成硬模的工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116568856B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180080877.4，技术领域涉及：C23C16/26；该发明授权硬模和通过等离子体增强化学气相沉积形成硬模的工艺是由许瑞元;K·尼塔拉;P·曼纳;K·嘉纳基拉曼设计研发完成，并于2021-10-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本硬模和通过等离子体增强化学气相沉积形成硬模的工艺在说明书摘要公布了：本公开内容的实施例总体涉及硬模和通过等离子体增强化学气相沉积PECVD形成硬模的工艺。在实施例中，提供用于在基板上形成硬模层的工艺。工艺包括将基板引入PECVD腔室的处理空间，基板在基板支撑件上，基板支撑件包括静电夹盘；以及流动处理气体进入PECVD腔室内的处理空间中，处理气体包括含碳气体。工艺进一步包括在等离子体条件下从处理空间中的处理气体形成激励的处理气体，将基板静电夹持到基板支撑件，在静电夹持基板的同时在基板上沉积第一含碳层，并通过在基板上沉积第二含碳层来形成硬模层。
本发明授权硬模和通过等离子体增强化学气相沉积形成硬模的工艺在权利要求书中公布了：1.一种用于在基板上形成硬模的工艺，包括： 将所述基板引入等离子体增强化学气相沉积PECVD腔室的处理空间，所述基板定位在基板支撑件上，所述基板支撑件包括静电夹盘； 在将所述基板静电夹持到所述基板支撑件的同时在所述基板上沉积第一含碳层，所述第一含碳层具有约或更小的厚度，其中沉积所述第一含碳层包括： 将处理气体流入所述PECVD腔室内的所述处理空间中，所述处理气体包括含碳气体；以及通过将第一RF偏压功率施加到所述静电夹盘来用所述处理气体点燃等离子体，以沉积所述第一含碳层，所述第一RF偏压功率为约200W至约500W；以及在将所述基板静电夹持到所述基板支撑件的同时通过在所述第一含碳层上沉积第二含碳层来形成所述硬模，所述第二含碳层具有约至约的厚度，其中沉积所述第二含碳层包括： 使所述处理气体流入所述PECVD腔室内的所述处理空间中；以及将第二RF偏压功率施加到所述静电夹盘以沉积所述第二含碳层，所述第二RF偏压功率为约1000W至约10000W。
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