AP系统股份有限公司郑弼盛获国家专利权
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龙图腾网获悉AP系统股份有限公司申请的专利用于形成薄膜的设备和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116324030B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180069915.6，技术领域涉及：C23C16/50；该发明授权用于形成薄膜的设备和方法是由郑弼盛;池尙炫;金昌敎;金东植设计研发完成，并于2021-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于形成薄膜的设备和方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于形成薄膜的设备和方法，设备包括：腔室，被配置成在其中界定衬底处理空间；衬底支撑部件，连接到腔室以便支撑腔室内部的衬底；热源部件，连接到腔室以面向衬底支撑部件；以及等离子体产生部件，在至少两个点处连接到腔室以便在衬底支撑部件与热源部件之间供应自由基。本发明可改进形成于衬底上的薄膜的均匀性。
本发明授权用于形成薄膜的设备和方法在权利要求书中公布了：1.一种用于形成薄膜的设备，所述设备包括： 腔室，以具有宽度、厚度和高度的中空形状提供，且被配置成在其中界定衬底处理空间； 衬底支撑部件，连接到所述腔室以支撑所述腔室内部的衬底； 热源部件，连接到所述腔室以面向所述衬底支撑部件； 等离子体产生部件，在至少两个点处连接到所述腔室以在所述衬底支撑部件与所述热源部件之间供应自由基； 至少两个注入口，在所述腔室的宽度方向或厚度方向上穿过所述腔室；以及排出口，穿过所述腔室以面向所述至少两个注入口，其中所述至少两个注入口的一者以朝向所述衬底的中心提供所述自由基，所述至少两个注入口的另一者以朝向所述衬底的边缘提供所述自由基，且其中所述排出口包括一对第一排出口，所述一对第一排出口具有大于所述衬底支撑部件的直径的间隔距离，以排出残余自由基。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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