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龙图腾网获悉佛山市国星半导体技术有限公司申请的专利一种外延结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314500B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310134011.8，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种外延结构及其制备方法是由张文燕;武杰;徐亮;胡清富;阮钇;王韵怡设计研发完成，并于2023-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种外延结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种外延结构及其制备方法，设置有第一阻挡层和低温准备层；第一阻挡层包括若干个层叠设置的阻挡复合结构，阻挡复合结构包括层叠设置的N‑GaN阻挡层和N‑BGaN阻挡层，B组分沿着层叠方向逐渐减少；低温准备层包括若干个层叠设置的准备复合结构，准备复合结构包括层叠设置的N‑GaN准备层、N‑BGaN准备层和N‑InGaN准备层，In组分沿着层叠方向逐渐增多。本发明通过设置第一阻挡层和低温准备层，降低晶格失配度，释放应力，减少缺陷形成；通过第一阻挡层有效阻挡缺陷的延伸扩展，并通过低温准备层优化缺陷的密度和尺寸，从而增加外延结构的可靠性，继而提高外延结构的反压漏电良率。

本发明授权一种外延结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种外延结构，所述外延结构包括依次层叠在图形化蓝宝石衬底上的N型GaN层、MQW多量子阱层和P型GaN层，其特征在于，在所述N型GaN层和所述MQW多量子阱层之间依次层叠设置有第一阻挡层和低温准备层； 其中，所述第一阻挡层包括若干个层叠设置的阻挡复合结构，任一所述阻挡复合结构包括依次层叠设置的N‑GaN阻挡层和N‑BGaN阻挡层，所述第一阻挡层中的B组分沿着所述外延结构的层叠方向逐渐减少； 所述第一阻挡层包括若干第一N‑BaGa1‑aN阻挡层、若干第二N‑BbGa1‑bN阻挡层和若干第三N‑BcGa1‑cN阻挡层，所述a的取值范围为0.1～0.3，所述b的取值范围为0.05～0.15，所述c的取值范围为0.01～0.1，且a＞b＞c； 所述低温准备层包括若干个层叠设置的准备复合结构，任一所述准备复合结构包括依次层叠设置的N‑GaN准备层、N‑BGaN准备层和N‑InGaN准备层，所述低温准备层中的In组分沿着所述外延结构的层叠方向逐渐增多； 所述低温准备层包括若干第一N‑InxGa1‑xN准备层、若干第二N‑InyGa1‑yN准备层和若干第三N‑InzGa1‑zN准备层，所述x的取值范围为0.005～0.01，所述y的取值范围为0.01～0.05，所述z的取值范围为0.05～0.1，且x＜y＜z。

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