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龙图腾网获悉中国原子能科学研究院申请的专利一种利用单靶磁控溅射制备超低掺杂浓度薄膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116288200B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310141773.0，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种利用单靶磁控溅射制备超低掺杂浓度薄膜的方法是由王洪亮;孟思勤;郝丽杰;李睿;刘蕴韬;徐利军;张雨禾;陈东风;孙凯;李玉庆;李天富;马小柏设计研发完成，并于2023-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种利用单靶磁控溅射制备超低掺杂浓度薄膜的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种利用单靶磁控溅射制备超低掺杂浓度薄膜的方法，包括如下步骤：制备掺杂固溶块；冷压所述掺杂固溶块得到掺杂片，并将所述掺杂片切割成固定尺寸的条状掺杂片；定位所述条状掺杂片；采用单靶磁控溅射仪在Si样品基片上制备超低浓度稀土掺杂贵金属薄膜；达到了单靶磁控溅射稀土元素二次稀释的目的。本发明提供的方法在保证薄膜致密性的前提下，实现了超低浓度稀土掺杂贵金属薄膜的制备，并利用单晶NaCl晶体代替Si样品基片实现对薄膜的分离、元素成分及其他性能的表征；通过对不同位置掺杂片制备的薄膜进行浓度标定，可以实现10‑1000ppm超低浓度掺杂薄膜的定量可控。

本发明授权一种利用单靶磁控溅射制备超低掺杂浓度薄膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种利用单靶磁控溅射制备超低掺杂浓度薄膜的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤： S1、制备掺杂固溶块：通过熔炼贵金属单质与稀土单质，制备掺杂固溶块；步骤S1的所述制备掺杂固溶块的方法包括如下具体步骤： S12、熔炼：按照特定比例称量贵金属单质、稀土单质，放入电弧熔炼炉的坩埚中，将电弧熔炼腔体抽真空后注入氩气进行熔炼，制备得到掺杂固溶块； 所述掺杂固溶块中，所述稀土单质的质量浓度为5000‑10000ppm； S2、冷压所述掺杂固溶块得到掺杂片，并将所述掺杂片切割成固定尺寸的条状掺杂片； S3、定位所述条状掺杂片：将贵金属靶材固定在掺杂片定位装置背面的金属槽内；所述掺杂片定位装置包括一个圆形金属外壳，所述圆形金属外壳的一直径处设置有一个刻度滑轨，所述刻度滑轨包括一个设定宽度的贯通槽，所述条状掺杂片穿过所述贯通槽精确定位于贵金属靶材上，并采用银浆将所述条状掺杂片粘在贵金属靶材上；所述刻度滑轨还包括刻度尺，所述刻度尺沿着所述贯通槽刻在所述圆形金属外壳的正面； S4、安装所述贵金属靶材，采用单靶磁控溅射仪在Si样品基片上制备超低浓度稀土掺杂贵金属薄膜；步骤S4之前还包括如下步骤： 通过将所述条状掺杂片的中心处对准所述刻度尺的不同指定刻度处，以NaCl晶体基片代替Si样品基片，溅射得到每个指定刻度处相对应的掺杂薄膜；然后将以NaCl晶体基片的每个指定刻度处相对应的掺杂薄膜置于蒸馏水中进行薄膜剥离，再将每个指定刻度处相对应的掺杂薄膜反复清洗后烘干；最后采用ICP‑MS测试每个指定刻度处相对应的掺杂薄膜中的稀土浓度；进而获得所述条状掺杂片的中心处对准所述刻度尺的不同指定刻度时制备的掺杂薄膜中掺杂稀土浓度曲线图，实现薄膜中掺杂稀土浓度10‑1000ppm的连续可调。

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