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龙图腾网获悉中山大学;新启航半导体有限公司申请的专利一种高性能自供电金刚石基异质结日盲探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116190466B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211595633.2，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权一种高性能自供电金刚石基异质结日盲探测器是由朱海;汤梓荧;王必成;王庭云设计研发完成，并于2022-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高性能自供电金刚石基异质结日盲探测器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高性能自供电金刚石基异质结日盲探测器，包括由下至上依次包括金刚石单晶衬底、p型金刚石薄膜、Ga极性调控层、本征i‑Ga2O3光吸收层、δ调制掺杂层、AlO介电层和顶部叉指状电极；所述的金刚石单晶衬底的横截面长度与p型金刚石薄膜的横截面长度一致；所述的Ga极性调控层、本征i‑Ga2O3光吸收层、δ调制掺杂层、AlO介电层的横截面长度均相同；且所述的Ga极性调控层的横截面长度小于p型金刚石薄膜的横截面长度；所述的Ga极性调控层、本征i‑Ga2O3光吸收层、δ调制掺杂层、AlO介电层设置在p型金刚石薄膜的中间位置；在p型金刚石薄膜上设有两个p型金刚石薄膜；所述的p型金刚石薄膜位于Ga极性调控层的两侧；所述的顶部叉指状电极镶嵌在AlO介电层的内部；所述的δ调制掺杂层采用周期性δ型调制掺杂技术进行n型Ga2O3掺杂，获得高浓度载流子。

本发明授权一种高性能自供电金刚石基异质结日盲探测器在权利要求书中公布了：1.一种高性能自供电金刚石基异质结日盲探测器，其特征在于：所述的探测器包括由下至上依次包括金刚石单晶衬底1、p型金刚石薄膜2、Ga极性调控层4、本征i‑Ga2O3光吸收层5、δ调制掺杂层6、AlO介电层7和顶部叉指状电极8； 其中所述的金刚石单晶衬底1的横截面长度与p型金刚石薄膜2的横截面长度一致； 所述的Ga极性调控层4、本征i‑Ga2O3光吸收层5、δ调制掺杂层6、AlO介电层7的横截面长度均相同； 且所述的Ga极性调控层4的横截面长度小于p型金刚石薄膜2的横截面长度； 所述的Ga极性调控层4、本征i‑Ga2O3光吸收层5、δ调制掺杂层6、AlO介电层7设置在p型金刚石薄膜2的中间位置； 在p型金刚石薄膜2上设有两个金刚石电极3；所述的金刚石电极3位于Ga极性调控层4的两侧； 所述的顶部叉指状电极8镶嵌在AlO介电层7的内部； 所述的δ调制掺杂层6采用周期性δ型调制掺杂技术进行n型Ga2O3掺杂，获得高浓度载流子； 利用MBE进行原子级调控，在本征i‑Ga2O3光吸收层上依次生长 i‑ Ga2O3Sn: Ga2O3调制掺杂超晶格，得到δ调制掺杂层6。

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