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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种对忆阻交叉阵列器件电阻状态的设置方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116129961B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310127702.5，技术领域涉及：G11C13/00；该发明授权一种对忆阻交叉阵列器件电阻状态的设置方法是由吴传贵;刘雨婷;潘忻强;罗文博;帅垚;谢琴设计研发完成，并于2023-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种对忆阻交叉阵列器件电阻状态的设置方法在说明书摘要公布了：本发明属于电子信息技术领域，具体涉及一种对忆阻交叉阵列器件电阻状态的设置方法。本发明通过依次采用电导分类法和逐次逼近法对大规模忆阻交叉阵列的各目标忆阻单元的电阻状态进行设置；其中电导分类法通过先设置小电导后设置大电导可以减小对周围忆阻单元的影响；逐次逼近法通过施加至少两轮电压幅值依次减小的写脉冲信号，可将忆阻单元较为准确地设置于目标阻值附近，同时在设置过程中充分利用SET方向的良好线性度，避免了RESET过程存在突变时带来的不利影响。本发明以逐次逼近的方式更精确地设置到目标阻态Rtarget，并减小了阻态设置过程中对其他忆阻单元的影响；尤其适用于在基于忆阻交叉阵列的神经网络运算。

本发明授权一种对忆阻交叉阵列器件电阻状态的设置方法在权利要求书中公布了：1.一种对忆阻交叉阵列器件电阻状态的设置方法，其特征在于：包括电导分类设置和逐次逼近设置； 所述电导分类设置是对忆阻交叉阵列中的目标忆阻单元按照其欲设电导值的大小进行分类，依次进行电阻状态设置： 首先，根据应用需求，确定忆阻交叉阵列中需要配置的目标忆阻单元个数M以及目标电导值的类数q，即需要对忆阻交叉阵列的M个忆阻单元设置q种目标电导值； 然后，将相同目标电导值的忆阻单元归为一类，即将忆阻交叉阵列中需要设置的M个忆阻单元划分为q类，其中各类之间的电导值大小关系对应为G1＜G2＜…＜Gq； 最后，按照电导值从小到大的顺序依次对每一类阻态的各个忆阻单元采用逐次逼近法进行电阻状态设置； 所述逐次逼近法是对一个忆阻单元依次施加电压幅值逐渐降低的SET脉冲序列，依次减小误差范围，依次增加延时判断时间以精确达到目标电阻值； 逐次逼近法中对一个忆阻单元共进行N轮设置，N的取值为2≤N≤Nmax，其中Nmax为最大可取设置轮次数，取值范围为4至6；在每轮设置时对一个忆阻单元最多施加K次写脉冲信号，K为最大写循环次数，100≤K≤200；初始时，M个目标忆阻单元的电阻状态均已重置为高阻； 在使用逐次逼近法时，首先初始化设置各个参数，即设置忆阻单元的目标阻值为Rtarget，总设置轮次数为N，输入写脉冲信号的电压幅值为Vset1，误差百分比为α1，延时判断时间为τ1，最大写循环次数为K；其中，Vset1的幅值应小于该目标忆阻单元的电形成电压Vforming；当前正在设置的轮次数由n表示，n初始值为1，每设置完一轮n＝n+1，1≤n≤N；当前设置轮次的写循环次数累加变化由k表示，0≤k≤K； 然后从第1轮开始逐轮设置该忆阻单元的电阻状态； 对该目标忆阻单元进行第n轮设置时，首先将写循环次数k重置为0，并读取初始阻值R0，当R0＞1+αnRtarget时，开始施加电压幅值为Vsetn的写脉冲信号；每施加一个写脉冲后，写循环次数k＝k+1，并跟随一个读脉冲获取当前阻值Rk； 当k＜K且Rk＞1+αnRtarget时，继续施加写脉冲信号Vsetn；当k＜K且Rk≤1+αnRtarget时，经过延时τn，再次读取忆阻单元阻值Rk’，如果Rk’＞1+αnRtarget，则继续施加写脉冲信号Vsetn；直至Rk’≤1+αnRtarget或k＝K时，自动结束该轮设置； 对该忆阻单元进行第n+1轮设置时，输入写电压脉冲幅值设置为Vsetn+1，误差百分比设置为αn+1，延时判断时间设置为τn+1；其中Vsetn+1＜Vsetn，αn+1＜αn，τn+1＞τn，根据当前轮次设置的三个参数Vsetn+1、αn+1和τn+1进行相应的判断，每轮设置均以此类推； 当n＝N轮设置完成时，停止对忆阻单元的电阻状态设置。

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