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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利SRAM局部区域漏电窗口的检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116125329B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211397328.2，技术领域涉及：G01R31/52；该发明授权SRAM局部区域漏电窗口的检测方法是由宁威设计研发完成，并于2022-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本SRAM局部区域漏电窗口的检测方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种SRAM局部区域漏电窗口的检测方法，包括：利用检测光罩对测试晶圆进行曝光以完成接触孔图形和多晶硅栅极图形的套刻；获取接触孔图形与多晶硅栅极图形之间的间距值；获取局部区域的图像灰度值；获取套刻偏移量和局部区域的图像灰度值的拟合函数；获取待检测的SRAM产品片的局部区域的图像灰度值；获取SRAM上的接触孔图形与多晶硅栅极图形之间的间距值以检测SRAM上的局部区域是否存在漏电窗口。本申请根据测试片的图像灰度值与接触孔图形与多晶硅栅极图形之间的间距值，得到可应用于SRAM产品片上的接触孔至多晶硅栅极的偏移量检测的拟合函数，实现了SRAM上的局部区域是否存在漏电窗口的在线检测。

本发明授权SRAM局部区域漏电窗口的检测方法在权利要求书中公布了：1.一种SRAM局部区域漏电窗口的检测方法，其特征在于，包括： 提供检测光罩，其中，所述检测光罩上至少形成有接触孔图形和多晶硅栅极图形； 利用所述检测光罩对测试晶圆进行多个层次的曝光，其中，在进行每一层次的曝光时，对所述接触孔图形和所述多晶硅栅极图形之间的间距值进行拉偏以完成所述接触孔图形和所述多晶硅栅极图形的套刻，其中，所述测试晶圆包括：主要区域和形成有所述接触孔图形和所述多晶硅栅极图形的多个局部区域； 获取每一层次曝光后的所述接触孔图形与所述多晶硅栅极图形之间的间距值； 获取每一层次曝光后的所述局部区域的图像灰度值； 根据所述接触孔图形与所述多晶硅栅极图形之间的间距值以及所述局部区域的图像灰度值，建立套刻偏移量与图像灰度值的函数模型以得到所述套刻偏移量和所述局部区域的图像灰度值的拟合函数； 提供所有的待检测的SRAM产品片，获取所述待检测的SRAM产品片上的局部区域的图像灰度值； 根据所述套刻偏移量和所述局部区域的图像灰度值的拟合函数、所述待检测的SRAM产品片上的局部区域的图像灰度值，确定所述待检测的SRAM产品片上的所述接触孔图形与所述多晶硅栅极图形之间的间距值，以检测所述待检测的SRAM产品片上的局部区域是否存在漏电窗口。

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