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中国原子能科学研究院张宝亮获国家专利权

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龙图腾网获悉中国原子能科学研究院申请的专利碳化硅的连接方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115958264B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310033072.5,技术领域涉及:B23K1/00;该发明授权碳化硅的连接方法是由张宝亮;涂蒙河设计研发完成,并于2023-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。

碳化硅的连接方法在说明书摘要公布了:本申请的实施例提供一种碳化硅的连接方法。连接方法包括:利用脉冲激光沉积法,在碳化硅基体的表面沉积致密的铝钛纳米颗粒层;将沉积有铝钛纳米颗粒层的碳化硅基体对接;对对接后的碳化硅基体进行钎焊,以将碳化硅基体连接为一体。本申请的实施例提供的碳化硅的连接方法,铝钛纳米颗粒层可以作为连接碳化硅基体的连接层;同时,通过脉冲激光沉积法沉积形成的连接层的颗粒为纳米级大小,可以降低碳化硅基体钎焊时所需的温度;此外,利用脉冲激光沉积法,可以在更多形状的碳化硅基体表面沉积连接层,降低了碳化硅基体形状对连接的限制。

本发明授权碳化硅的连接方法在权利要求书中公布了:1.一种碳化硅的连接方法,其特征在于,包括: 利用脉冲激光沉积法,在碳化硅基体的表面沉积致密的铝钛纳米颗粒层; 将沉积有所述铝钛纳米颗粒层的碳化硅基体对接; 对所述对接的碳化硅基体进行钎焊,以将所述碳化硅基体连接为一体; 所述利用脉冲激光沉积法在碳化硅基体的表面沉积致密的铝钛纳米颗粒层的步骤,包括: 加热所述碳化硅基体; 在真空条件下,将双束脉冲激光分别轰击至铝靶材和钛靶材,以使所述铝靶材和钛靶材溅射的铝纳米颗粒和钛纳米颗粒同时沉积在所述碳化硅基体的表面。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国原子能科学研究院,其通讯地址为:102413 北京市房山区新镇三强路1号院;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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