株式会社国际电气寿崎健一获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社国际电气申请的专利基板处理装置、清洁方法、半导体装置的制造方法以及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115910735B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210935921.1，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权基板处理装置、清洁方法、半导体装置的制造方法以及存储介质是由寿崎健一;池田优真设计研发完成，并于2022-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本基板处理装置、清洁方法、半导体装置的制造方法以及存储介质在说明书摘要公布了：本发明提供一种基板处理装置、清洁方法、半导体装置的制造方法以及存储介质，能够防止清洁气体与含有金属材料的盖的表面接触，抑制盖表面的腐蚀及变质的产生。该基板处理装置具备：反应容器，其对基板进行处理；清洁气体供给系统，其构成为向反应容器内供给清洁气体；盖，其构成为能够封闭反应容器的开口，且由金属材料构成；保护部件，其设置于盖的面向反应容器的内侧的侧的面上，且至少表面由第一非金属材料构成；内部空间，其形成于盖和保护部件彼此相互对置的面之间；以及惰性气体供给系统，其构成为在开口被盖封闭的状态下，向内部空间供给惰性气体。
本发明授权基板处理装置、清洁方法、半导体装置的制造方法以及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种基板处理装置，其特征在于，具备： 反应容器，其对基板进行处理； 清洁气体供给系统，其构成为向所述反应容器内供给清洁气体； 盖，其构成为能够封闭所述反应容器的开口，且由金属材料构成； 保护部件，其设置于所述盖的面向所述反应容器的内侧的侧的面上，且至少表面由第一非金属材料构成； 内部空间，其形成于所述盖和所述保护部件彼此相互对置的面之间；以及惰性气体供给系统，其构成为在所述开口被所述盖封闭的状态下，向所述内部空间供给惰性气体，所述盖及所述保护部件的至少任一个具备通过第一密封部件将所述盖与所述保护部件之间密封的第一密封部，所述内部空间由被所述盖和所述保护部件彼此相互对置的面与所述第一密封部包围的空间构成，所述第一密封部沿着所述保护部件的外周，遍及所述盖及所述保护部件的至少任一个的整周而设置。
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