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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种基于非均匀等离子体的辐射增强方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115863967B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211430190.1，技术领域涉及：H01Q1/36；该发明授权一种基于非均匀等离子体的辐射增强方法是由聂秋月;陈培奇;钱亮;张仲麟;王敏;华洋阳;孟卓涛;艾昕;魏国强;闫昌时设计研发完成，并于2022-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于非均匀等离子体的辐射增强方法在说明书摘要公布了：本发明的一种基于非均匀等离子体的辐射增强方法，涉及等离子体增强方法。目的是为了克服现有等离子体增强技术物理模型较为简单，缺少利用非均匀等离子体实现最佳增强的一般性讨论，方法基于等离子体增强型电小天线实现，等离子体增强型电小天线包括球壳形的等离子体罩和位于等离子体罩内的电小天线；并且，等离子体罩内的等离子体沿等离子体罩的半径非均匀分布；辐射增强方法如下：调节等离子体密度和等离子体罩的尺寸符合以下条件，从而使非均匀等离子体对电小天线的辐射进行增强。

本发明授权一种基于非均匀等离子体的辐射增强方法在权利要求书中公布了：1.一种基于非均匀等离子体的辐射增强方法，其特征在于，所述方法基于等离子体增强型电小天线实现，所述等离子体增强型电小天线包括球壳形的等离子体罩和位于等离子体罩内的电小天线；并且，等离子体罩内的等离子体沿等离子体罩的半径非均匀分布； 所述辐射增强方法如下： 调节等离子体密度和等离子体罩的尺寸符合以下条件，从而使非均匀等离子体对电小天线的辐射进行增强：所述尺寸包括内径和外径； nc＝ω2ε0mee2npinc＞1npoutc＞10.05＜routλ＜0.1其中，ωp0表示均匀等离子体最佳增强条件对应的等离子体罩内的等离子体频率，n0表示均匀等离子体最佳增强条件对应的等离子体密度，nc表示临界等离子体密度，ω表示电小天线辐射的电磁波的角频率，ε0表示真空中介电常数，me为电子质量，e表示元电荷量，npr表示等离子体密度沿等离子体罩半径方向的分布函数，r表示等离子体罩中的某一点到等离子体罩球心的距离，npin和npout分别表示等离子体罩内边界和外边界处的等离子体密度，rin和rout分别表示等离子体罩的内径和外径，λ表示电小天线辐射电磁波在真空中的波长。

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