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龙图腾网获悉中科南京智能技术研究院申请的专利一种双生8T SRAM存算单元、计算系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115831187B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211498663.1，技术领域涉及：G11C11/419；该发明授权一种双生8T SRAM存算单元、计算系统是由周玉梅;黎涛;乔树山;尚德龙设计研发完成，并于2022-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双生8T SRAM存算单元、计算系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种双生8TSRAM存算单元、计算系统，双生8TSRAM存算单元包括计算单元和存储单元，所述存储单元为双生8TSRAM单元，包括高位权重存储单元M8T和低位权重存储单元L8T；工作在存储模式时，高位权重存储单元M8T和低位权重存储单元L8T用于实现读写通路的分离；工作在计算模式时，计算单元用于实现2bits输入数据与2bits权重的乘法运算。本发明提升了运算效率的同时减少了功耗，并避免了读干扰写的问题。

本发明授权一种双生8T SRAM存算单元、计算系统在权利要求书中公布了：1.一种双生8T SRAM存算单元，其特征在于，包括：计算单元和存储单元，所述存储单元为双生8T SRAM单元，包括高位权重存储单元M8T和低位权重存储单元L8T； 工作在存储模式时，高位权重存储单元M8T和低位权重存储单元L8T用于实现读写通路的分离； 工作在计算模式时，计算单元用于实现2 bits输入数据与2 bits权重的乘法运算； 所述计算单元包括PMOS晶体管P5~P8、传输门T1~T2、电容C1~C2和电容CC；其中，PMOS晶体管P7、P8的漏端接地；电容C1、C2和CC的下极板接地； 传输门T1的输入端接位线BL1、PMOS晶体管P7的栅端；传输门T2的输入端接位线BL2、PMOS晶体管P8的栅端；传输门T1、T2的高电平控制端口均接NMOS输入HTS，低电平控制端口均接PMOS输入LTS；传输门T1的输出端与电容C1的上极板、PMOS晶体管P5的源端相接；传输门T2的输出端与电容C2的上极板、PMOS晶体管P6的源端相接； PMOS晶体管P5、P6的栅端接读位线RBL；电容CC的上极板接读位线RBL；PMOS晶体管P5的漏端与PMOS晶体管P7的源端相接；PMOS晶体管P6的漏端与PMOS晶体管P8的源端相接。

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