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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利多区域微分负阻特性的氮化镓基共振隧穿二极管及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115810674B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211575030.6，技术领域涉及：H10D8/70；该发明授权多区域微分负阻特性的氮化镓基共振隧穿二极管及制作方法是由薛军帅;姚佳佳;吴冠霖;郭壮;刘仁杰;赵澄;李泽辉;袁金渊;张进成;郝跃设计研发完成，并于2022-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本多区域微分负阻特性的氮化镓基共振隧穿二极管及制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了多区域微分负阻特性的氮化镓基共振隧穿二极管及制作方法，主要解决现有氮化镓共振隧穿二极管难以实现多区域微分负阻特性、串联集成度低和微分负阻特性一致性差的问题。其自下而上包括衬底、GaN外延层、发射极欧姆接触层、多层复合有源区、集电极欧姆接触层和集电极电极；多层复合有源区是由N层有源区和N‑1层n+GaN串联层交替排列组成的复合结构；每一层有源区自下而上包括隔离层、势垒层、量子阱层、势垒层、隔离层；势垒层均采用宽带隙半导体材料。本发明具有多个峰值电流相同的微分负阻效应，器件性能稳定，微分负阻效应一致性好，可靠性和集成度高，能消除平面串联工艺的金属互联，可用于多值逻辑数字电路和存储器中。

本发明授权多区域微分负阻特性的氮化镓基共振隧穿二极管及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种多区域微分负阻效应的氮化镓基共振隧穿二极管，自下而上包括衬底1、GaN外延层2、发射极欧姆接触层3、有源区4、集电极欧姆接触层5、集电极电极6、有源区的两侧为环形发射极电极8；有源区4到集电极电极6为刻蚀形成的圆柱台面，该圆柱台面外部包裹有钝化层7，其特征在于： 所述有源区4采用由N层有源区和N‑1层n+GaN串联层交替排列组成的复合结构，每两层有源区之间通过掺杂浓度为1×1019cm‑3‑5×1020cm‑3，厚度为30nm‑200nm的n+GaN串联层连接，以实现多个峰值电流和峰谷电流比相接近的微分负阻特性，其中N≥2； 所述复合结构的有源区4，其每一层自下而上均包括第一隔离层41、第一势垒层42、量子阱层43、第二势垒层44和第二隔离层45； 该第一隔离层41和第二隔离层45的厚度均为4nm‑15nm的GaN； 该第一势垒层42和第二势垒层44的组分一致，其厚度均为1nm‑3nm，且厚度相同； 该量子阱层43采用组分v在0％‑100％之间的InvGa1‑vN，其厚度为1nm‑3nm。

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