中国原子能科学研究院王朝辉获国家专利权
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龙图腾网获悉中国原子能科学研究院申请的专利一种提升质子加速器中子源产额的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115802578B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211340548.1，技术领域涉及：H05H6/00；该发明授权一种提升质子加速器中子源产额的方法是由王朝辉;阮锡超;肖石良;孙琪;鲍杰;黄翰雄设计研发完成，并于2022-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提升质子加速器中子源产额的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种提升质子加速器中子源产额的方法，包括如下步骤：构建双层靶室，包括氚气体靶室、氦气体靶室，氦气体靶室内固定安装锂靶；向氚气体靶室中充入氚气至达到设定的氚气体靶室压力；向氦气体靶室中充入氦气至达到设定的氦气体靶室压力；将质子经质子入射主管道入射到所述双层靶室中。本发明提供的方法可将加速器中子源所获得的1MeV以下中子产额比传统方法提升95％以上，能够有效利用束流时间、提升中子通量、减少环境本底的占比、提升实验效果。本发明提供的方法可消除能量在1MeV以上的中子的干扰，对于核物理实验测量而言，可以减少其它反应的干扰；对于硼中子治疗加速器而言，中子能量低，易于慢化和屏蔽，能够减少额外的屏蔽措施。
本发明授权一种提升质子加速器中子源产额的方法在权利要求书中公布了：1.一种提升质子加速器中子源产额的方法，其特征在于，包括如下步骤： S1、构建双层靶室，将所述双层靶室与质子入射主管道固定连接； 其中，所述双层靶室包括氚气体靶室、氦气体靶室，所述氦气体靶室的第一端与质子入射主管道的转接件固定连接，所述氚气体靶室的第一端与氦气体靶室的第二端固定连接； 所述氦气体靶室内固定安装有锂靶； S2、向所述氚气体靶室中充入氚气，直至达到设定的氚气体靶室压力；向所述氦气体靶室中充入氦气，直至达到设定的氦气体靶室压力； S3、质子经质子入射主管道入射到所述双层靶室中。
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